飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BUT11AI
一般 描述
增强 效能, 高 速 切换 npn 晶体管 在 to220ab 封套 specially suited 为 高
频率 电子的 lighting ballast 产品 和 转换器, 反相器, 切换 regulators, 发动机 控制
系统 等
快 涉及 数据
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
是
= 0 v - 1000 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (打开 根基) - 450 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 5 一个
I
CM
集电级 电流 顶峰 值 - 10 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
≤
25 ˚c - 100 W
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 2.5 一个; i
B
= 0.33 一个 - 1.5 V
I
Csat
集电级 饱和 电流 2.5 一个
t
f
inductive 下降 时间 I
Con
= 2.5 一个; i
Bon
= 0.5 一个 0.08 0.15
µ
s
固定 - to220ab 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 根基
2 集电级
3 发射级
tab 集电级
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
是
= 0 v - 1000 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (打开 根基) - 450 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 5 一个
I
CM
集电级 电流 顶峰 值 - 10 一个
I
B
根基 电流 (直流) - 2 一个
I
BM
根基 电流 顶峰 值 - 4 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
≤
25 ˚c - 100 W
T
stg
存储 温度 -65 150 ˚C
T
j
接合面 温度 - 150 ˚C
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-mb
接合面 至 挂载 根基 - 1.25 k/w
R
th j-一个
接合面 至 包围的 在 自由 空气 - 60 k/w
123
tab
b
c
e
8月 1997 1 rev 1.000
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