飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BUT11APX
一般 描述
增强 效能, 新 一代, 高-电压, 高-速 切换 npn 晶体管 在 一个 塑料 full-pack
封套 将 为 使用 在 horizontal deflection 电路 的 colour television 接受者. 特性 exceptional
容忍 至 根基 驱动 和 集电级 电流 加载 变化 结果 在 一个 非常 低 worst 情况 消耗.
快 涉及 数据
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
是
= 0 v - 1000 V
V
CBO
集电级-根基 电压 (打开 发射级) - 1000 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (打开 根基) - 450 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 5 一个
I
CM
集电级 电流 顶峰 值 - 10 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
hs
≤
25 ˚c - 32 W
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 - 1.5 V
I
Csat
集电级 饱和 电流 3.5 - 一个
t
f
下降 时间 I
Csat
=2.5a,i
B1
=0.5a,i
B2
=0.8a 145 160 ns
固定 - sot186a 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 根基
2 集电级
3 发射级
情况 分开的
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CESM
集电级 至 发射级 电压 V
是
= 0 v - 1000 V
V
CEO
集电级 至 发射级 电压 (打开 根基) - 450 V
V
CBO
集电级 至 根基 电压 (打开 发射级) - 1000 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 5 一个
I
CM
集电级 电流 顶峰 值 - 10 一个
I
B
根基 电流 (直流) - 2 一个
I
BM
根基 电流 顶峰 值 - 4 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
hs
≤
25 ˚c - 32 W
T
stg
存储 温度 -65 150 ˚C
T
j
接合面 温度 - 150 ˚C
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-hs
接合面 至 散热器 和 散热器 复合 - 3.95 k/w
R
th j-一个
接合面 至 包围的 在 自由 空气 55 - k/w
123
情况
b
c
e
九月 1998 1 rev 1.000