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资料编号:185263
 
资料名称:BUT11AX
 
文件大小: 118.59K
   
说明
 
介绍:
Silicon Diffused Power Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BUT11AX
一般 描述
高-电压, 高-速 glass-钝化的 npn 电源 晶体管 在 一个 塑料 全部-包装 封套 将 为 使用 在
转换器, 反相器, 切换 regulators, 发动机 控制 系统, 等
快 涉及 数据
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
= 0 v - 1000 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (打开 根基) - 450 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 5 一个
I
CM
集电级 电流 顶峰 值 - 10 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
hs
25 ˚c - 32 W
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 - 1.5 V
I
Csat
集电级 饱和 电流 2.5 - 一个
t
f
下降 时间 150 - ns
固定 - sot186a 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 根基
2 集电级
3 发射级
情况 分开的
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
= 0 v - 1000 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (打开 根基) - 450 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 5 一个
I
CM
集电级 电流 顶峰 值 - 10 一个
I
B
根基 电流 (直流) - 2 一个
I
BM
根基 电流 顶峰 值 - 4 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
hs
25 ˚c - 32 W
T
stg
存储 温度 -65 150 ˚C
T
j
接合面 温度 - 150 ˚C
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-hs
接合面 至 散热器 和 散热器 复合 - 3.95 k/w
R
th j-一个
接合面 至 包围的 在 自由 空气 55 - k/w
123
情况
b
c
e
十一月 1995 1 rev 1.100
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