1
4-megabit
(512k x 8)
单独的 2.7-volt
电池-电压
™
flash 记忆
AT49BV040
AT49LV040
特性
•
单独的 电压 为 读 和 写: 2.7v 至 3.6v (bv), 3.0v 至 3.6v (lv)
•
快 读 进入 时间
–
70 ns
•
内部的 程序 控制 和 计时器
•
16k 字节 激励 块 和 lockout
•
快 碎片 擦掉 循环 时间
–
10 秒
•
字节-用-字节 程序编制
–
30 µs/字节 典型
•
硬件 数据 保护
•
数据polling 为 终止 的 程序 发现
•
低 电源 消耗
–
25 毫安 起作用的 电流
–
50 µa cmos 备用物品 电流
•
典型 10,000 写 循环
•
小 包装
–
8 x 14 mm vsop/tsop
描述
这 at49bv/lv040 是 3-volt 仅有的, 4-megabit flash memories 有组织的 作 524,288
words 的 8-位 各自. 制造的 和 atmel
’
s 先进的 nonvolatile cmos technol-
ogy, 这 设备 提供 进入 时间 至 70 ns 和 电源 消耗 的 just 90 mw 在
这 商业的 温度 范围. 当 这 设备 是 deselected, 这 cmos
备用物品 电流 是 较少 比 50 µa.
这 设备 包含 一个 用户-使能
“
激励 块
”
保护 特性. 这
at49bv/lv040 locates 这 激励 块 在 最低 顺序 地址 (
“
bottom 激励
”
).
rev. 0679d
–
03/01
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a18 地址
CE
碎片 使能
OE
输出 使能
我们
写 使能
i/o0 - i/o7 数据 输入/输出
plcc 顶 视图
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
i/o0
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
i/o7
4
3
2
1
32
31
30
14
15
16
17
18
19
20
i/o1
i/o2
地
i/o3
i/o4
i/o5
i/o6
A12
A15
A16
A18
VCC
我们
A17
vsop 顶 视图 (8 x 14 mm) 或者
tsop 顶 视图 (8 x 20 mm)
1
2
3
4
5
6
7
8
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12
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14
15
16
32
31
30
29
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27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
A17
我们
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
OE
A10
CE
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
i/o3
地
i/o2
i/o1
i/o0
A0
A1
A2
A3
(持续)
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