BYG20
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rev. 3, 24-六月-98
1 (5)
文档 号码 86009
快 硅 mesa smd 整流器
特性
D
glass 钝化的 接合面
D
低 反转 电流
D
软 恢复 特性
D
快 反转 恢复 时间
D
好的 切换 特性
D
波 和 软熔焊接 solderable
产品
表面 挂载
快 整流器
freewheeling 二极管 在 smps 和 转换器
snubber 二极管
15 811
绝对 最大 比率
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 值 单位
反转 电压 BYG20D V
R
=V
RRM
200 Vg
=repetitive 顶峰 反转 电压
BYG20G V
R
=V
RRM
400 V
BYG20J V
R
=V
RRM
600 V
顶峰 向前 surge 电流 t
p
=10ms,
half sinewave
I
FSM
30 一个
平均 向前 电流 I
FAV
1.5 一个
接合面 和 存储
温度 范围
T
j
=T
stg
–55...+150
°
C
脉冲波 活力 在 avalanche 模式,
非 repetitive
(inductive 加载 转变 止)
I
(br)r
=1a, t
j
=25
°
C E
R
20 mJ
最大 热的 阻抗
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 标识 值 单位
接合面 含铅的 T
L
=常数. R
thJL
25 k/w
接合面 包围的 挂载 在 epoxy–glass hard tissue R
thJA
150 k/w
挂载 在 epoxy–glass hard tissue, 50mm
2
35
m
m cu R
thJA
125 k/w
挂载 在 al–oxid–ceramic (al
2
O
3
), 50mm
2
35
m
m cu R
thJA
100 k/w
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