©2001 硅 存储 技术, 公司
s71061-07-000 6/01 304
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这 sst 标志 和 superflash 是 注册 商标 的 硅 存储 技术, 公司
ssf 是 一个 商标 的 硅 存储 技术, 公司
这些 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
数据 薄板
1 mbit (128k x8) 页-模式 可擦可编程只读存储器
sst29ee010 / sst29le010 / sst29ve010
特性:
• 单独的 电压 读 和 写 行动
– 5.0v-仅有的 为 sst29ee010
– 3.0-3.6v 为 sst29le010
– 2.7-3.6v 为 sst29ve010
•
更好的 可靠性
–
忍耐力: 100,000 循环 (典型)
–
更好 比 100 年 数据 保持
•
低 电源 消耗量
–
起作用的 电流: 20 毫安 (典型) 为 5v 和 10 毫安
(典型) 为 3.0/2.7v
–
备用物品 电流: 10 µa (典型)
•
快 页-写 运作
–
128 字节 每 页, 1024 页
–
页-写 循环: 5 ms (典型)
–
完全 记忆 rewrite: 5 秒 (典型)
–
有效的 字节-写 循环 时间: 39 µs (典型)
•
快 读 进入 时间
–
5.0v-仅有的 运作: 70 和 90 ns
–
3.0-3.6v 运作: 150 和 200 ns
–
2.7-3.6v 运作: 200 和 250 ns
•
latched 地址 和 数据
•
自动 写 定时
–
内部的 v
PP
一代
•
终止 的 写 发现
–
toggle 位
–
data# polling
•
硬件 和 软件 数据 保护
•
产品 identification 能 是 accessed 通过
软件 运作
•
ttl i/o 兼容性
•
电子元件工业联合会 标准
–
flash 可擦可编程只读存储器 pinouts 和 command sets
•
包装 有
–
32-含铅的 plcc
–
32-含铅的 tsop (8mm x 14mm, 8mm x 20mm)
–
32-管脚 pdip
产品 描述
这 sst29ee/le/ve010 是 128k x8 cmos 页-写
eeproms 制造的 和 sst
’
s proprietary, 高 每-
formance cmos superflash 技术. 这 分割-门
cell 设计 和 厚 oxide tunneling injector attain 更好的
可靠性 和 manufacturability 对照的 和 alternate
approaches. 这 sst29ee/le/ve010 写 和 一个 单独的
电源 供应. 内部的 擦掉/程序 是 transparent 至 这
用户. 这 sst29ee/le/ve010 遵从 至 电子元件工业联合会 stan-
dard pinouts 为 字节-宽 memories.
featuring 高 效能 页-写, 这 sst29ee/le/
ve010 提供 一个 典型 字节-写 时间 的 39 µsec. 这
全部 memory, i.e., 128 kbytes, 能 是 写 页-用-
页 在 作 little 作 5 秒, 当 使用 接口 特性
此类 作 toggle 位 或者 data# polling 至 表明 这 comple-
tion 的 一个 写 循环. 至 保护 相反 inadvertent 写,
这 sst29ee/le/ve010 有 在-碎片 硬件 和 软-
ware 数据 保护 schemes. 设计, 制造的,
和 测试 为 一个 宽 spectrum 的 产品, 这
sst29ee/le/ve010 是 offered 和 一个 有保证的 页-
写 忍耐力 的 10,000 循环. 数据 保持 是 评估 在
更好 比 100 年.
这 sst29ee/le/ve010 是 suited 为 产品 那
需要 便利的 和 economical updating 的 程序,
配置, 或者 数据 记忆. 为 所有 系统 产品,
这 sst29ee/le/ve010 significantly 改进 效能
和 可靠性, 当 lowering 电源 消耗量. 这
sst29ee/le/ve010 改进 flexibility 当 lowering 这
费用 为 程序, 数据, 和 配置 存储 applica-
tions.
至 满足 高 密度, 表面 挂载 (所需的)东西, 这
sst29ee/le/ve010 是 offered 在 32-含铅的 plcc 和 32-
含铅的 tsop 包装. 一个 600-mil, 32-管脚 pdip 包装 是
也 有. 看 计算数量 1, 2, 和 3 为 pinouts.
设备 运作
这 sst 页-模式 可擦可编程只读存储器 提供 在-电路 电的
写 能力. 这 sst29ee/le/ve010 做 不 需要
独立的 擦掉 和 程序 行动. 这 内部
安排时间 写 循环 executes 两个都 擦掉 和 程序 trans-
parently 至 这 用户. 这 sst29ee/le/ve010 有 indus-
尝试 标准 optional 软件 数据 保护, 这个 sst
推荐 总是 至 是 使能. 这 sst29ee/le/
ve010 是 兼容 和 工业 标准 可擦可编程只读存储器
pinouts 和 符合实际.
sst29ee010 / sst29le010 / sst29ve0101mb 页-模式 flash memories
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