特性
这 moc810x 和 cny17f-x 设备 组成 的 一个 镓 砷化物 led optically 结合
至 一个 硅 phototransistor 在 一个 双-在-线条 包装.
• closely matched 电流 转移 比率 (ctr) 降低 单位-至-单位 变化
• narrow (ctr) windows 那 translate 至 一个 narrow 和 predictable 打开
循环 增益 window
• 非常 低 结合 电容 along 和 非 碎片 至 管脚 6 根基
连接 为 最小 噪音 susceptibility
• 至 顺序 设备 那 是 测试 和 marked 每 vde 0884 (所需的)东西,
这 后缀 “.300” 必须 是 包含 在 这 终止 的 部分 号码. e.g. moc8101.300
vde 0884 是 一个 测试 选项.
产品
• switchmode 电源 供应 (反馈 控制)
• 交流 线条/数字的 逻辑 分开
• 接合 和 连接 系统 的 不同的 potentials 和 阻抗
6-管脚 插件 optocouplers 为
电源 供应 产品
(非 根基 连接)
6
1
6
1
6
1
MOC8101
MOC8102 MOC8103 MOC8104
MOC8105
MOC8106 MOC8107 MOC8108
cny17f-1 cny17f-2 cny17f-3 cny17f-4
2
1
3NC
5
6NC
管脚 1. anode
2. cathode
3. 非 连接
4. 发射级
5. 集电级
6. 非 连接
4
便条
1. 输入-输出 分开 电压,viso, 是 一个 内部的 设备 dielectric 损坏 比率.
参数 标识 值 单位
输入 LED
向前 电流 - 持续的 I
F
100 毫安
向前 电流 - 顶峰 (pw = 1µs, 300pps) I
F
(pk) 1 一个
反转 电压 V
R
6 伏特
led 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
CP
D
140 mW
减额 在之上 25
°
C 1.33 mw/
°
C
输出 晶体管
集电级-发射级 电压
V
CEO
伏特
moc8106/7/8, cny17f-1/2/3/4 70
moc8101/2/3/4/5 30
发射级-集电级 电压 V
ECO
7 伏特
探测器 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
CP
D
200 mW
减额 在之上 25
°
C 2.67 mw/
°
C
总的 设备
输入-输出 分开 电压
(1)
V
ISO
5300 vac(rms)
(f = 60 hz, t = 1 最小值.)
总的 设备 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
CP
D
260 mW
减额 在之上 25
°
C 2.94 mw/
°
C
包围的 运行 温度 范围 T
OPR
-55 至 +100
°
C
存储 温度 范围 T
STG
-55 至 +150
°
C
含铅的 焊接 温度
T
SOL
260
°
C
(1/16
”
从 情况, 10 秒. 持续时间)
绝对 最大 比率
(t
一个
=25
°
c 除非 否则 指定)
2001 仙童 半导体 公司
DS300266 9/18/01 1 的 10 www.fairchildsemi.com
图式
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