scds122a −july 2003 − 修订 october 2003
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邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
undershoot 保护 为 止-分开 在
一个 和 b 端口 向上 至 −2 v
双向的 数据 流动, 和 near-零
传播 延迟
低 在-状态 阻抗 (r
在
)
特性 (r
在
= 3
Ω
典型)
低 输入/输出 电容 降低
加载 和 信号 扭曲量
(c
io(止)
= 5 pf 典型)
数据 和 控制 输入 提供
undershoot clamp 二极管
低 电源 消耗量
(i
CC
= 3
µ
一个 最大值)
V
CC
运行 范围 从 4 v 至 5.5 v
数据 i/os 支持 0 至 5-v signaling 水平
(0.8-v, 1.2-v, 1.5-v, 1.8-v, 2.5-v, 3.3-v, 5-v)
控制 输入 能 是 驱动 用 ttl 或者
5-v/3.3-v cmos 输出
I
止
支持 partial-电源-向下 模式
运作
获得-向上 效能 超过 100 毫安 每
jesd 78, 类 ii
静电释放 效能 测试 每 jesd 22
− 2000-v 人-身体 模型
(a114-b, 类 ii)
− 1000-v charged-设备 模型 (c101)
支持 两个都 数字的 和 相似物
产品: usb 接口, 总线 分开,
低-扭曲量 信号 gating
d, db, dgv, 或者 pw 包装
(顶 视图)
nc − 非 内部的 连接
dbq 包装
(顶 视图)
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
1OE
1A
1B
2OE
2A
2B
地
V
CC
4OE
4A
4B
3OE
3A
3B
NC
1
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3
4
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10
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1OE
1A
1B
2OE
2A
2B
地
V
CC
4OE
4A
4B
3OE
3A
3B
rgy 包装
(顶 视图)
114
78
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3
4
5
6
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9
4OE
4A
4B
3OE
3A
1A
1B
2OE
2A
2B
1OE
3B
V
地
CC
描述/订货 信息
这 sn74cbt3125c 是 一个 高-速 ttl-兼容 场效应晶体管 总线 转变 和 低 在-状态 阻抗 (r
在
),
准许 为 minimal 传播 延迟. 起作用的 undershoot-保护 电路系统 在 这 一个 和 b 端口 的 这
SN74CBT3125C提供 保护 为 undershoot 向上 至 −2 v 用 感觉到 一个 undershoot 事件 和 ensuring
那 这 转变 仍然是 在 这 恰当的 止 状态.
这 sn74cbt3125c 是 有组织的 作 四 1-位 总线 switches 和 独立的 输出-使能 (1oe
, 2oe, 3oe,
4OE
) 输入. 它 能 是 使用 作 四 1-位 总线 switches 或者 作 一个 4-位 总线 转变. 当 oe是 低, 这 有关联的
1-位总线 转变 是 在, 和 这 一个 端口 是 连接 至 这 b 端口, 准许 双向的 数据 流动 在 端口.
当 oe
是 高, 这 有关联的 1-位 总线 转变 是 止, 和 这 高-阻抗 状态 exists 在 这 一个
和 b 端口.
这个 设备 是 全部地 指定 为 partial-电源-向下 产品 使用 i
止
. 这 i
止
特性 确保 那
损害的电流 将 不 backflow 通过 这 设备 当 它 是 powered 向下. 这 设备 有 分开 在
电源 止.
版权
2003, 德州 器械 组成公司的
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 avail能力, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
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