flash 记忆
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K9F2808U0C
文档 标题
16m x 8 位 与非 flash 记忆
修订 history
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任何 questions, 请 联系 这 samsung branch 办公室 near 你.
修订 非.
0.0
1.0
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
Remark
进步
进步
初步的
History
最初的 公布.
tbga pkg 维度 改变
48-球, 6.0mm x 8.5mm --> 63-ball, 9.0mm x 11.0mm
1.a3 管脚 分派 的 tbga 包装 是 changed.(页 4)
(在之前) nc --> (之后) vss
2. 增加 这 rp vs tr ,tf &放大; rp vs ibusy 图表 为 1.8v 设备 (page 32)
3. 增加 这 数据 保护 vcc guidence 为 1.8v 设备 - 在下 关于
1.1v. (页 33)
这 最小值 vcc 值 1.8v 设备 是 changed.
k9f28xxq0c : vcc 1.65v~1.95v --> 1.70v~1.95v
铅-自由 包装 是 增加.
k9f2808u0c-fcb0,fib0
k9f2808q0c-hcb0,hib0
k9f2816u0c-hcb0,hib0
k9f2816u0c-pcb0,pib0
k9f2816q0c-hcb0,hib0
k9f2808u0c-hcb0,hib0
k9f2808u0c-pcb0,pib0
一些 交流 参数 是 changed(k9f28xxq0c).
twc twh twp trc treh trp trea tcea
在之前 45 15 25 50 15 25 30 45
之后 60 20 40 60 20 40 40 55
1. 新 定义 的 这 号码 的 invalid blocks 是 增加.
(最小 502 有效的 blocks 是有保证的 为 各自 相接的 64mb
记忆 空间)
2.
便条 是 增加.
(vil 能 undershoot 至 -0.4v 和 vih 能 越过 至 vcc +0.4v 为
durations 的 20 ns 或者 较少.)
1. k9f2808u(q)0c-直流(i)b0,k9f2816u(q)0c-直流(i)b0 是 deleted.
2. twc 是 changed.
45ns(在之前) ---> 50ns(之后)
3. 最小 有效的 块 号码 是 changed.
1004(在之前) --> 1009(之后)
1. 最小 有效的 块 号码 是 changed.
1009(在之前) --> 1004(之后)
draft 日期
apr. 15th 2002
sep. 5th 2002
dec.10th 2002
三月. 6th 2003
三月. 13rd 2003
三月. 26th 2003
将. 24th 2003
oct. 10th 2003
便条 : 为 更多 详细地 特性 和 规格 在cluding faq, 请 谈及 至samsung’s flash 网 站点.
http://www.samsung.com/产品/半导体/flash/technicalinfo/数据手册.htm
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