4m (256k x 16) 静态的 内存
cy62146v mobl
®
Cypress 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose • ca 95134 • 408-943-2600
文档 #: 38-05159 rev. *a 修订 8月 27, 2002
特性
•
宽 电压 范围: 2.7v
–
3.6v
•
过激-低 起作用的, 备用物品 电源
•
容易 记忆 expansion 和 ce
和 oe特性
•
ttl-兼容 输入 和 输出
•
自动 电源-向下 当 deselected
•
cmos 为 最佳的 速/电源
•
包装 有 在 一个 标准 44-管脚 tsop 类型 ii
(向前 引脚) 包装
函数的 描述
[1]
这 cy62146v 是 一个 高-效能 cmos 静态的 内存
有组织的 作 256k words 用 16 位. 这些 设备 特性
先进的 电路 设计 至 提供 过激-低 起作用的 电流.
这个 是 完美的 为 供应 更多 电池 生命
®
(mobl
®
) 在
可携带的 产品 此类 作 cellular telephones. 这 设备
也 有 一个 自动 电源-向下 特性 那 significantly
减少 电源 消耗量 用 99% 当 地址 是 不
toggling. 这 设备 能 也 是 放 在 备用物品 模式 当
deselected (ce
高). 这 输入/输出 管脚 (i/o
0
通过
i/o
15
) 是 放置 在 一个 高-阻抗 状态 当: deselected
(ce
高), 输出 是 无能 (oe高), bhe和 ble
是 无能 (bhe, ble高), 或者 在 一个 写 运作 (ce
低, 和 我们低).
writing 至 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 使能
(ce
) 和 写 使能 (我们) 输入 低. 如果 字节 低 使能
(ble
) 是 低, 然后 数据 从 i/o 管脚 (i/o
0
通过 i/o
7
), 是
写 在 这 location 指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
16
). 如果 字节 高 使能 (bhe) 是 低, 然后 数据
从 i/o 管脚 (i/o
8
通过 i/o
15
) 是 写 在 这 location
指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
17
).
读 从 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片
使能 (ce
) 和 输出 使能 (oe) 低 当 forcing 这
写 使能 (我们
) 高. 如果 字节 低 使能 (ble) 是 低,
然后 数据 从 这 记忆 location 指定 用 这 地址
管脚 将 呈现 在 i/o
0
至 i/o
7
. 如果 字节 高 使能 (bhe) 是
低, 然后 数据 从 记忆 将 呈现 在 i/o
8
至 i/o
15
. 看
这 真实 表格 在 这 后面的 的 这个 数据 薄板 为 一个 完全
描述 的 读 和 写 模式.
便条:
1.
为 最好的 实践 recommendations, 请 谈及 至 这 cypress 应用 便条
“
系统 设计 指导原则
”
在 http://www.cypress.com.
逻辑 块 图解
256K
×
16
内存 排列
i/o
0
–
i/o
7
行 解码器
一个
8
一个
7
一个
6
一个
5
一个
2
column 解码器
一个
11
一个
12
一个
13
一个
14
一个
15
2048
×
2048
sense 放大器
数据 在 驱动器
OE
一个
4
一个
3
i/o
8
–
i/o
15
CE
我们
BLE
BHE
一个
16
一个
0
一个
1
一个
17
一个
9
一个
10