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资料编号:242665
 
资料名称:CZT5551
 
文件大小: 93.01K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON TRANSISTOR
 
 


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1
浏览型号CZT5551的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
316
CentralCentral
CentralCentral
Central
半导体 corp.半导体 corp.
半导体 corp.半导体 corp.
半导体 corp.
TM
CZT5551
npn 硅 晶体管
sot-223 情况
描述:
这 central 半导体 czt5551
类型 是 一个 npn 硅 晶体管 制造的
用 这 外延的 planar 处理, 环氧的 模塑的
在 一个 表面 挂载 包装, 设计 为 高
电压 放大器 产品.
最大 比率
(t
一个
=25
o
c)
标识 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
180 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
160 V
发射级-根基 电压 V
EBO
6.0 V
600 毫安
2.0 W
运行 和 存储
接合面 温度 T
J
,t
stg
-65 至 +150
o
C
热的 阻抗
Θ
JA
62.5
o
c/w
电的 特性
(t
一个
=25
o
c 除非 否则 指出)
标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
V
CB
=120V 50 nA
I
CBO
V
CB
=120v, t
一个
=100
o
C 50
µ
一个
I
EBO
V
EB
=4.0v 50 nA
BV
CBO
I
C
=100
µ
一个 180 V
BV
CEO
I
C
=1.0ma 160 V
BV
EBO
I
E
=10
µ
一个 6.0 V
V
ce(sat)
I
C
=10ma, i
B
=1.0ma 0.15 V
V
ce(sat)
I
C
=50ma, i
B
=5.0ma 0.20 V
V
是(sat)
I
C
=10ma, i
B
=1.0ma 1.00 V
V
是(sat)
I
C
=50ma, i
B
=5.0ma 1.00 V
h
FE
V
CE
=5.0v, i
C
=1.0ma 80
h
FE
V
CE
=5.0v, i
C
=10mA 80 250
h
FE
V
CE
=5.0v, i
C
=50mA 30
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