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参数 最大 单位
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@4.5v
➃
-2.9 一个
I
D
@ t
一个
= 70°c -2.3
I
DM
搏动 流 电流
➀
-23
P
D
@T
一个
= 25°c 电源消耗
➃
2.0 W
P
D
@T
一个
= 70°c 1.3
直线的 减额 因素 16 mw/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 12 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
➁
-5.0 v/ns
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 +150 °C
IRF7324D1
初步的
pd- 91789
FETKY
场效应晶体管 / 肖特基 二极管
注释:
➀
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度 (看 图示 11)
➁
I
SD
≤
-2.2a, di/dt
≤
-50a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
, t
J
≤
150°C
➂
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%
➃
表面 挂载 在 fr-4 板, t
≤
10sec.
参数 最大 单位
R
θ
JA
接合面-至-包围的
➃
62.5 °c/w
绝对 最大 比率
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
热的 阻抗 比率
这
FETKY
家族 的 co-packaged hexfets 和 肖特基 二极管 提供
这 设计者 一个 革新的 板 空间 节省 解决方案 为 切换
调整器 产品. 一代 5 hexfets utilize 先进的 处理
技巧 至 达到 极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 结合
这个 技术 和 国际的 整流器's 低 向前 漏出 肖特基
整流器 结果 在 一个 极其 效率高的 设备 合适的 为 使用 在 一个 宽
多样性 的 可携带的 electronics 产品.
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized 引线框架 为 增强
热的 特性. 这 所以-8 包装 是 设计 为 vapor 阶段,
infrared 或者 波 焊接 技巧.
描述
V
DSS
= -20v
R
ds(在)
= 0.18
Ω
肖特基 vf = 0.39v
所以-8
TM
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
一个
一个
S
G
D
D
K
K
co-packaged hexfet
电源
场效应晶体管 和 肖特基 二极管
完美的 为 mobile phone 产品
一代 v 技术
所以-8 footprint
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