2SD2624
非.6500-1/4
特性
•
高 速.
•
高 损坏 电压(v
CBO
=1500v).
•
高 可靠性(adoption 的 hvp 处理).
•
adoption 的 mbit 处理.
•
在-碎片 调节器 二极管.
规格
绝对 最大 比率
在 ta=25
°
C
参数 标识 情况 比率 单位
集电级-至-根基 电压 V
CBO
1500 V
集电级-至-发射级 电压 V
CEO
800 V
发射级-至-根基 电压 V
EBO
6V
集电级 电流 I
C
6A
集电级 电流 (脉冲波) I
CP
15 一个
集电级 消耗 P
C
3.0 W
Tc=25
°
C60W
接合面 温度 Tj 150
°
C
存储 温度 Tstg --55 至 +150
°
C
电的 特性
在 ta=25
°
C
比率
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
集电级 截止 电流 I
CBO
V
CB
=800v, i
E
=0 10
µ
一个
集电级 截止 电流 I
CES
V
CE
=1500v, r
是
=0 1.0 毫安
集电级 支持 电压 V
CEO
(sus) I
C
=100ma, i
B
=0 800 V
发射级 截止 电流 I
EBO
V
EB
=4v, i
C
=0 40 130 毫安
集电级-至-发射级 饱和 电压 V
CE
(sat) I
C
=3.15a, i
B
=0.63a 3 V
根基-至-发射级 饱和 电压 V
是
(sat) I
C
=3.15a, i
B
=0.63a 1.5 V
直流 电流 增益
h
FE
1V
CE
=5v, i
C
=0.5a 10
h
FE
2V
CE
=5v, i
C
=3.5a 5 8
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sanyo electric co.,有限公司. 半导体 公司
tokyo 办公室 tokyo bldg., 1-10, 1 chome, ueno, taito-ku, tokyo, 110-8534 日本
订货 号码 : enn6500a
2SD2624
包装 维度
单位 : mm
2174A
[2SD2624]
52101 ts im ta-3147 / 82200 ts im ta-2862
npn triple diffused planar 硅 晶体管
1 : 根基
2 : 集电级
3 : 发射级
sanyo : 至-3pmlh
21.0
5.0
22.0
0.8
20.4
4.0
16.0
3.4
2.0
2.8
2.1
5.45
5.45
0.7
0.9
3.5
8.0
5.6
3.1
12 3
颜色 tv horizontal deflection
输出 产品
任何 和 所有 sanyo 产品 描述 或者 包含 在此处 做 不 有 规格 那 能 handle
产品 那 需要 极其 高 水平 的 可靠性, 此类 作 生命-支持 系统, aircraft's
控制 系统, 或者 其它 产品 谁的 失败 能 是 合理地 预期的 至 结果 在 严重的
物理的 和/或者 材料 损坏. 咨询 和 your sanyo 代表 最近的 你 在之前 使用
任何 sanyo 产品 描述 或者 包含 在此处 在 此类 产品.
sanyo 假设 非 责任 为 设备 failures 那 结果 从 使用 产品 在 值 那
超过, 甚至 短促地, 评估 值 (此类 作 最大 比率, 运行 情况 ranges, 或者 其它
参数) 列表 在 产品 规格 的 任何 和 所有 sanyo 产品 描述 或者 包含
在此处.