特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
产品
水平的 变换
加载 转变
Si4511DY
vishay siliconix
文档号码: 72223
s-41496—rev.b, 09-8月-04
www.vishay.com
1
n- 和 p-频道 20-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
N 频道 20
0.0145 @ v
GS
= 10 v 9.6
n-频道 20
0.017 @ v
GS
= 4.5 v 8.6
P 频道 20
0.033 @ v
GS
=
−
4.5 v
−
6.2
p-频道
−
20
0.050 @ v
GS
=
−
2.5 v
−
5
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
S
2
G
2
G
1
S
1
D
2
D
1
订货 信息: Si4511DY
si4511dy-t1 (和 录音带 和 卷轴)
si4511dy—e3 (含铅的 (铅)-自由)
si4511dy-t1—e3 (含铅的 (铅)-自由 和 录音带 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
n-频道 p-频道
参数 标识
10 秒. 稳步的 状态 10 秒. 稳步的 状态
单位
流-源 电压 V
DS
20
−
20
V
门-源 电压 V
GS
16
12
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个,
b
T
一个
= 25
C
I
D
9.6 7.2
−
6.2
−
4.6
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个,
b
T
一个
= 70
C
I
D
7.7 5.8
−
4.9
−
3.7
一个
搏动 流 电流 I
DM
40
−
40
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个,
b
I
S
1.7 0.9
−
1.7 0.9
最大 电源 消耗
一个,
b
T
一个
= 25
C
P
D
2 1.1 2 1.1
W最大 电源 消耗
一个,
b
T
一个
= 70
C
P
D
1.3 0.7 1.3 0.7
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
热的阻抗比率
n-频道 p- 频道
参数 标识
Typ 最大值 Typ 最大值
单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
50 62.5 50 62.5
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
R
thJA
85 110 90 110
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的-状态 R
thJF
30 40 30 35
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板.
b. t
10 秒
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