特性
TrenchFET
gen ii 电源 场效应晶体管
100% r
g
测试
产品
高-一侧 直流/直流 转换
−
Notebook
−
Desktop
−
Server
notebook 逻辑 直流/直流, 低-一侧
Si4346DY
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72958
s-41793—rev.b, 04-oct-04
www.vishay.com
1
n-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品 summary
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(一个) Q
g
(典型值)
0.023 @ v
GS
= 10 v 8
30
0.025 @ v
GS
= 4.5 v 7.5
6530
0.030 @ v
GS
= 3.0 v 6.8
6.5
0.036 @ v
GS
= 2.5 v 6.0
所以-8
SD
SD
SD
GD
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
订货 信息: Si4346DY—E3
si4346dy-t1—e3( 和 录音带 和 卷轴)
n-频道 场效应晶体管
G
D
S
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
30
V
门-源 voltage V
GS
12
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
8 5.9
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
6.5 4.7
一个
搏动 流 电流 I
DM
30
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
2.2 1.20
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.5 1.31
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.6 0.84
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
热的 阻抗 比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
43 50
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
74 95
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
22 27
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.