ee-sy201
photomicrosensor (reflective)
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photomicrosensor (reflective)
ee-sy201
■
维度
便条:
所有 单位 是 在 毫米除非 否则 表明.
■
特性
•
这 led 需要 一个 向前 电流的 仅有的 5 毫安 预定的 至 这 photo-
darlington 晶体管 建造 在 这 探测器.
•
和 一个 red led 明亮的 源.
■
绝对 最大 比率 (ta = 25
c)
便条: 1.
谈及 至 这 温度 比率 chart 如果 这 包围的 temper-
ature 超过 25
c.
2.
完全 焊接 在里面 10 秒.
■
电的 和 视力的 特性 (ta = 25
c)
便条:
这 letter “d” indicates 这 距离 在 这顶 表面 的 这 传感器 和 这 感觉到 物体.
内部的 电路
终端 非. 名字
一个 Anode
K Cathode
C 集电级
E 发射级
维度 容忍
3 mm 最大值
±
0.3
3
<
mm
≤
6
±
0.375
6
<
mm
≤
10
±
0.45
10
<
mm
≤
18
±
0.55
18
<
mm
≤
30
±
0.65
一个
K
C
E
二, 1 dia.
Two. 0 .5
Two. 0 .7
四, 0.125
视力的 axis
除非 否则 指定, 这
容忍 是 作 显示 在下.
Item 标识 评估 值
发射级 向前 电流
I
F
15 毫安
(看 便条 1)
脉冲波 向前 cur-
rent
I
FP
---
反转 电压
V
R
4 v
探测器 Collector–Emitter
电压
V
CEO
24 v
Emitter–Collector
电压
V
ECO
---
集电级 电流
I
C
20 毫安
集电级 dissipa-
tion
P
C
50 mw
(看 便条 1)
包围的 tem-
perature
运行
Topr –20
c 至 60
C
存储
Tstg –20
c 至 80
C
焊接 温度
Tsol 260
C
(看 便条 2)
Item 标识 值 情况
发射级 向前 电压
V
F
2.0 v 典型值., 2.6 v 最大值 I
F
= 15 毫安
反转 电流
I
R
0.01
一个 典型值., 5
一个 最大值 V
R
= 4 v
顶峰 emission wavelength
P
700 nm 典型值 I
F
= 10 毫安
探测器 明亮的 电流
I
L
0.3
一个 最小值., 8.0
一个 最大值 I
F
= 5 毫安, v
CE
= 10 v
白 paper 和 一个 reflection 比率 的
90%, d = 4 mm (看 便条)
dark 电流
I
D
2 na 典型值., 250 na 最大值 V
CE
= 10 v, 0
l
x
泄漏 电流
I
LEAK
--- ---
collector–emitter saturated volt-
age
V
CE
(sat) --- ---
顶峰 谱的 敏锐的 波-
长度
P
750 nm 典型值 V
CE
= 10 v
rising 时间
tr 180
s 典型值 V
CC
= 5 v, r
L
= 100
, i
L
= 1 毫安
下落 时间
tf 60
s 典型值 V
CC
= 5 v, r
L
= 100
, i
L
= 1 毫安
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