终端 非. 名字
一个 Anode
K Cathode
C 集电级
E 发射级
维度 容忍
3mmmax.
±
0.3
3
<
mm
≤
6
±
0.375
6
<
mm
≤
10
±
0.45
10
<
mm
≤
18
±
0.55
18
<
mm
≤
30
±
0.65
内部的 电路
K
一个
C
E
除非 否则 指定, 这
容忍 是 作 显示 在下.
模型 Aperture (一个 x b)
ee-sj3-c 2.1 x 1.0
ee-sj3-d 2.1 x 0.2
ee-sj3-g 0.5 x 2.1
四, 0.5
四, 0.25
中心 mark
交叉 部分 BB
交叉 部分 AA
7.2
±
0.2
2.54
±
0.2
7.6
±
0.3
6
0.2
10.2
6.2
0.3
Photomicrosensor
(transmissive)
EE-sj3 序列
维度
便条:
所有 单位 是 在 毫米 除非 否则 表明.
特性
•
高-决议 模型 和 一个 0.2-mm-宽 感觉到
aperture, 高-敏锐的 模型 和 一个 1-mm-宽 感觉到
aperture, 和 模型 和 一个 horizontal 感觉到 aperture
是 有.
•
所有 模型 有 一个 3 mm 宽 slot.
绝对 最大 比率
(ta = 25
°
c)
Item 标识 评估 值
发射级
向前 电流
I
F
50 毫安
(看 便条 1)
脉冲波 向前
电流
I
FP
1A
(看 便条 2)
反转 电压
V
R
4V
探测器
集电级--发射级
电压
V
CEO
30 V
发射级--集电级
电压
V
ECO
---
集电级 电流
I
C
20 毫安
集电级
消耗
P
C
100 mW
(看 便条 1)
包围的
t t
运行
Topr -- 2 5
°
Cto85
°
C
b e
温度
存储
Tstg -- 3 0
°
C 至 100
°
C
焊接 温度
Tsol 260
°
C
(看 便条 3)
便条:
1. 谈及 至 这 温度 比率 chart 如果 这 包围的
温度 超过 25
°
c.
2. 这 脉冲波 宽度 是 10
µ
s 最大 和 一个 频率
的 100 hz.
3. 完全 焊接 在里面 10 秒.
订货 信息
描述 部分 号码
Photomicrosensor (transmissive)
ee-sj3-c
o o c ose 所以 ( 一个 s ss e)
ee-sj3-d
ee-sj3-g
电的 和 视力的 特性 (ta = 25
°
c)
Item 标识 Value
情况
ee-sj3-c ee-sj3-d ee-sj3-g
Co d o
发射级 向前 电压
V
F
1.2 V 典型值, 1.5 V 最大值 I
F
=30mA
反转 电流
I
R
0.01
µ
atyp.,10
µ
amax. V
R
=4V
顶峰 emission
wavelength
λ
P
940 nm 典型值 I
F
=20mA
探测器 明亮的 电流
I
L
1to28matyp. 0.1 毫安 最小值 0.5to14ma I
F
=20ma,v
CE
=10V
Dark 电流
I
D
2 nA 典型值, 200 nA 最大值 V
CE
=10v,0
ℓ
x
泄漏 电流
I
LEAK
--- ---
集电级--发射级
saturated 电压
V
CE
(sat) 0.1 V 典型值,
0.4 V 最大值
--- 0.1 V 典型值,
0.4 V 最大值
I
F
=20ma,
I
L
=0.1ma
顶峰 谱的 敏锐的
wavelength
λ
P
850 nm 典型值 V
CE
=10V
Rising 时间
tr 4
µ
styp.
V
CC
=5v,
R
L
= 100
Ω
下落 时间
tf 4
µ
styp.
R
L
= 100
Ω
,
I
L
=5mA
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