EtronTech
EM639165
etron 技术, 公司
非. 6, 技术 rd. v, science-based 工业的 park, hsinchu, 台湾 30077, r.o.c.
电话: (886)-3-5782345 传真: (886)-3-5778671
etron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 制造 改变 至 它的 产品 和 规格 没有 注意.
8mega x 16bits sdram
初步的 (rev 1.0, 2/2001)
特性
•
单独的 3.3
±
0.3v 电源 供应
•
快 时钟 比率
-
pc133: 133 mhz (cl3)
-
pc100: 100 mhz (cl2)
•
全部地 同步的 运作 关联 至 时钟
rising 边缘
•
4-bank 运作 控制 用 ba0, ba1 (bank
地址)
•
可编程序的 模式 寄存器
- /cas latency: 2 或者 3
- burst 长度: 1, 2, 4, 8或者 全部 页
- burst 类型: interleaved 或者 直线的 burst
•
字节 控制–dqml 和 dqmu
•
随机的 column 进入
•
自动 precharge / 所有 banks precharge 控制
用 a10
•
自动 和 自-refresh
•
自-refresh 模式: 标准 和 低 电源
•
4096 refresh 循环/64ms
•
接口: lvttl
•
54-管脚 400 mil 塑料 tsop ii 包装
关键 规格
EM639165
-
75/8
t
CK2
时钟 循环 时间 (最小值., cl=2)
10/10 ns
t
CK3
时钟 循环 时间 (最小值., cl=3)
7.5/8 ns
t
AC2
进入 时间 (最大值., cl=2)
6/6 ns
t
AC3
进入 时间 (最大值., cl=3)
5.4/6 ns
t
RAS
行 起作用的 时间 (最大值.)
45/48 ns
t
RC
行 循环 时间(最小值.)
67.5/70 ns
Overview
em639165 是 一个 高-速 同步的 动态
随机的 进入 记忆 (sdram), 有组织的 作 4
banks x 2,097,152 words x 16 位. 所有 输入 和
输出 是 关联 至 这 rising 边缘 的 clk.
它 achieves 非常 高-速 数据 比率 向上 至
133mhz, 和 是 合适的 为 主要的 memories 或者 graphic
memories 在 计算机 系统. 为 handheld 设备
应用, 我们 也 提供 一个 低 电源 选项, 和
自-refresh 电流 下面 800
µ
一个.
管脚 分派 (顶 视图)
订货 信息
部分 号码 速
等级
自 refresh
电流 (最大值.)
em639165ts-75 pc133/cl3 2 毫安
em639165ts-75l pc133/cl3
800
µ
一个
em639165ts-8 pc100/cl2 2 毫安
em639165ts-8l pc100/cl2
800
µ
一个
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
DQML
/我们
/cas
/ras
/cs
BA0
BA1
a10(ap)
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
DQMU
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
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