参数 最大值 单位
V
DS
流- 源 电压 -12 V
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -7.8
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -6.2 一个
I
DM
搏动 流 电流
-39
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗
2.0
P
D
@T
一个
= 70°c 电源 消耗
1.3
直线的 减额 因素 16 mw/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 8.0 V
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
2/5/01
www.irf.com 1
IRF7325
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd- 94094
绝对 最大 比率
W
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JL
接合面-至-流 含铅的 ––– 20
R
θ
JA
接合面-至-包围的
––– 62.5 °c/w
热的 阻抗
V
DSS
R
ds(在)
最大值 (m
Ω)Ω)
Ω)Ω)
Ω)
I
D
-12v
24@V
GS
= -4.5v
±
7.8a
33@V
GS
= -2.5v
±
6.2a
49@V
GS
= -1.8v
±
3.9a
所以-8
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
描述
●
trench 技术
●
过激 低 在-阻抗
●
双 p-频道 场效应晶体管
●
低 profile (<1.8mm)
●
有 在 录音带 &放大; 卷轴
新 p-频道 hexfet
电源 mosfets 从
国际的 整流器 utilize 先进的 处理
技巧 至 达到 极其 低 在-阻抗
每 硅 范围. 这个 益处, 联合的 和 这
加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者
和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用
在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized
引线框架 为 增强 热的 特性 和
多样的-消逝 能力 制造 它 完美的 在 一个 多样性 的
电源 产品. 和 这些 改进, 多样的
设备 能 是 使用 在 一个 应用 和 dramatically
减少 板 空间. 这 包装 是 设计 为
vapor 阶段, infrared, 或者 波 焊接 技巧.
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