十一月 2003
2003 仙童 半导体 公司
fdc6020c rev b(w)
FDC6020C
complementary powertrench
场效应晶体管
一般 描述
这些 n &放大; p-频道 mosfets 是 生产 使用
仙童 半导体’s 先进的 powertrench
处理 那 有 被 特别 tailored 至 降低
在-状态 阻抗 和 还 维持 更好的
切换 效能.
这些 设备 是 好 suited 为 低 电压 和
电池 powered 产品 在哪里 低 在-线条 电源
丧失 和 快 切换 是 必需的.
产品
•
直流/直流 转换器
•
加载 转变
•
发动机 驱动
特性
•
Q1
–4.2 一个, –20v. R
ds(在)
= 55 m
Ω
@ v
GS
= – 4.5 v
R
ds(在)
= 82 m
Ω
@ v
GS
= – 2.5 v
•
Q2
5.9 一个, 20v. R
ds(在)
= 27 m
Ω
@ v
GS
= 4.5 v
R
ds(在)
= 39 m
Ω
@ v
GS
= 2.5 v
•
低 门 承担
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
.
•
flmp ssot-6 包装: 增强 热的
效能 在 工业-标准 包装 大小
3
2
1
4
5
6
bottom 流 联系
bottom 流 联系
q2 (n)
q1 (p)
3
2
1
4
5
6
bottom 流 联系
bottom 流 联系
q2 (n)
q1 (p)
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 Q1
q2 单位
V
DSS
流-源 电压 –20 20 V
V
GSS
门-源 电压
±
12
±
12
V
I
D
流 电流 - 持续的
(便条 1a)
–4.2 5.9 一个
- 搏动 –20 20
P
D
电源 消耗 为 双 运作
(便条 1a)
1.6 W
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
1.8
(便条 1b)
1.2
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
68
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1a)
1
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
.020 FDC6020C 7’’ 8mm 3000 单位
FDC6020C
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