March1998
FDS8947A
双 p-频道增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 其它 wise 指出
标识 参数 FDS8947A 单位
V
DSS
流-源 电压 -30 V
V
GSS
门-源 电压 -20 V
I
D
流 电流 - 持续的(便条 1a) - 4.0 一个
- 搏动 -20
P
D
电源 消耗 为 双 运作 2 W
电源 消耗为 单独的 运作(便条 1a) 1.6
(便条 1b) 1
(便条 1c) 0.9
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 78 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 40 °c/w
FDS8947Arev.b
-4.0一个, -30v. r
ds(在)
= 0.052
Ω
@ v
GS
= -10 v
R
ds(在)
= 0.080
Ω
@ v
GS
= -4.5 v.
高 密度 cell 设计为 极其 低 r
ds(在)
.
高 电源 和 电流 处理 能力 在 一个 widely
使用 表面 挂载 包装.
双 场效应晶体管 在 表面 挂载 包装.
sot-23
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8 sot-223
SuperSOT
TM
-6
所以-8p-channel 增强 模式 电源 地方 效应
晶体管 是 生产 使用 仙童's 专卖的, 高 cell
密度, dmos 技术. 这个 非常 高 密度 处理 是
特别 tailored 至 降低 在-状态 阻抗 和 提供
更好的 切换 效能.这些 设备 是 特别
suited 为 低 电压 产品 此类 作 notebook 计算机
电源 管理 和 其它 电池 powered 电路 在哪里
快 切换, 低 在-线条 电源 丧失, 和 阻抗 至
过往旅客 是 需要.
S1
D1
S2
G1
所以-8
D2
D2
D1
G2
FDS
8947A
管脚
1
1
5
7
8
2
3
4
6
© 1998 仙童 半导体 公司
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