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资料编号:323815
 
资料名称:FDU6680
 
文件大小: 121.05K
   
说明
 
介绍:
30V N-Channel PowerTrench? MOSFET
 
 


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十一月 2004
2004 仙童 半导体 公司
fdd6680/fdu6680 rev.c1(w)
fdd6680 / fdu6680
30v n-频道 powertrench
场效应晶体管
一般 描述
这个 n-频道 场效应晶体管 是 生产 使用 仙童
半导体’s 先进的
有 被 特别 tailored 至 降低 这 在 状态
阻抗 和 还 维持 低 门 承担 为
更好的 切换 效能.
产品
直流/直流 转换器
发动机 驱动
特性
46 一个, 30 v R
ds(在)
= 10 m
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 15 m
@ v
GS
= 4.5 v
低 门 承担
快 切换 速
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
G
S
D
至-252
d-pak
(至-252)
G D S
i-pak
(至-251aa)
S
G
D
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
V
I
D
持续的 流 电流 @T
C
=25°C (便条 3) 46 一个
@T
一个
=25°C (便条 1a) 12
搏动 (便条 1a) 100
电源 消耗 @T
C
=25°C (便条 3) 56
@T
一个
=25°C (便条 1a) 3.3
P
D
@T
一个
=25°C (便条 1b) 1.5
W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +175
°
C
热的 特性
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 (便条 1) 2.7
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (便条 1a) 45
R
θ
JA
(便条 1b)
96
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 包装 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDD6680 FDD6680 d-pak (至-252) 13’’ 12mm 2500 单位
FDU6680 FDU6680 i-pak (至-251) Tube n/一个 75
fdd6680/fdu6680
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