March1999
FDV301N
数字的 场效应晶体管 ,N-频道
一般 描述特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 其它 wise 指出
标识 参数 FDV301N 单位
V
DSS
, v
CC
流-源 电压, 电源 供应 电压 25 V
V
GSS
, v
I
门-源 电压, v
在
8 V
I
D
, i
O
流/输出 电流 - 持续的 0.22 一个
0.5
P
D
最大电源 消耗 0.35 W
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
静电释放 静电的 释放 比率 mil-标准-883d
人 身体 模型 (100pf / 1500 ohm)
6.0 kV
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 357 °c/w
fdv301n rev.f
25v, 0.22一个 持续的, 0.5一个 顶峰.
R
ds(在)
= 5
Ω
@ v
GS
=2.7V
R
ds(在)
= 4
Ω
@ v
GS
=4.5V.
非常 低 水平的 门 驱动 (所需的)东西 准许直接
运作 在 3v 电路. v
gs(th)
< 1.5v.
门-源 齐纳 为静电释放 强壮.
>6kv 人 身体 模型
替代 多样的 npn 数字的 晶体管 和 一个 dmos
场效应晶体管.
这个N-channel 逻辑 水平的 增强 模式地方 效应
晶体管 是生产 使用 仙童's 专卖的, 高 cell
密度, dmos 技术. 这个 非常 高 密度 处理 是
特别 tailored 至 降低 在-状态 阻抗.这个
设备 有 被 设计 特别 为 低 电压
产品 作 一个 替换 为 数字的 晶体管. 自从
偏差 电阻器 是 不 必需的, 这个 一个 n-频道 场效应晶体管 能
替代 一些 不同的 数字的 晶体管, with 不同的 偏差
电阻 值.
mark:301
sot-23
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8
sot-223
SuperSOT
TM
-6
D
G
S
D
SG
在
地
Vcc
反相器 应用
输出
© 1999 仙童 半导体 公司
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