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©
2000
mos 整体的 电路
µ
pd488448 为 rev. p
128 m-位 直接 rambus
™
DRAM
数据
薄板
文档 非. m14837ej3v0ds00 (3rd 版本)
日期 发行 8月 2000 ns cp (k)
打印 在 日本
这 mark
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显示 主要的 修订 点.
描述
这 直接 rambus dram (直接 rdram
) 是 一个 一般 目的 高-效能 记忆 设备 合适的 为
使用 在 一个 broad 范围 的 产品 包含 计算机 记忆, graphics, video, 和 任何 其它 应用 在哪里
高 带宽 和 低 latency 是 必需的.
这
µ
pd488448 是 128m-位 直接 rambus dram (rdram
), 有组织的 作 8m words 用 16 位.
这 使用 的 rambus signaling 水平的 (rsl) 技术 准许 600 mhz 至 800 mhz 转移 比率 当 使用
常规的 系统 和 板 设计 科技. 直接 rdram 设备 是 有能力 的 sustained 数据 transfers
在 1.25 ns 每 二 字节 (10 ns 每 十六 字节).
这 architecture 的 这 直接 rdrams 准许 这 最高的 sustained 带宽 为 多样的, 同时发生的 randomly
addressed 记忆 transactions. 这 独立的 控制 和 数据 buses 和 独立 行 和 column 控制
yield 在 95% 总线 效率. 这 直接 rdram’s thirty-二 banks 支持 向上 至 四 同时发生的 transactions.
系统 朝向 特性 为 mobile, graphics 和 大 记忆 系统 包含 电源 管理, 字节
masking.
这
µ
pd488448 是 offered 在 一个 csp horizontal 包装 合适的 为 desktop 作 好 作 低-profile 增加-在 card 和
mobile 产品. 直接 rdrams 运作 从 一个 2.5
volt 供应.
特性
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最高的 sustained 带宽 每 dram 设备
- 1.6 gb/s sustained 数据 转移 比率
- 独立的 控制 和 数据 buses 为 maximized 效率
- 独立的 行 和 column 控制 buses 为 容易 scheduling 和 最高的 效能
- 32 banks: 四 transactions 能 引领 放置 同时发生地 在 全部 带宽 数据 比率
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低 latency 特性
- 写 缓存区 至 减少 读 latency
- 3 precharge mechanisms 为 控制 flexibility
- interleaved transactions
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先进的 电源 管理:
- 多样的 低 电源 states 准许 flexibility 在 电源 消耗量 相比 时间 至 转变 至 起作用的 状态
- 电源-向下 自-refresh
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overdrive 电流 模式
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organization: 1 kbyte 页 和 32 banks, x 16
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使用 rambus signaling 水平的 (rsl) 为 向上 至 800 mhz 运作
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包装 : 62-管脚 录音带 fbga (
µ
BGA
) 和 62-管脚 塑料 fbga (d
2
BGA
(消逝 维度 球 grid 排列) )
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