5–1
特性
• 高 电流 转移 ratios
sfh601-1, 40 至 80%
sfh601-2, 63 至 125%
sfh601-3 ,100 至 200%
sfh601-4, 160 至 320%
• 分开 测试 电压 (1 秒.), 5300 vac
RMS
• vcesat 0.25 (
≤
0.4) v, 如果=10 毫安, ic=2.5 毫安
• 建造 至 遵从 至 vde (所需的)东西
• 最高的 质量 premium 设备
• 长 期稳固
• 存储 温度,–55
∞
至 +150
∞
C
• underwriters lab 文件 #e52744
• cecc 批准
• vde 0884 有 和 选项 1
描述
这 sfh601 是 一个 optocoupler 和 一个 镓 ars-
enide led 发射级 这个 是 optically 结合 和 一个
硅 planar phototransistor 探测器. 这 混合-
nent 是 packeged 在 一个 塑料 plug-在 情况 20 ab
din 41866.
这 coupler transmits 信号 在 二 electri-
cally 分开的 电路.
最大 比率
发射级
反转 电压................................................. 6 v
直流 向前 电流...................................... 60 毫安
surge 向前 电流 (t
p
=10
µ
s).................. 2.5 一个
总的 电源 消耗.............................. 100 mw
探测器
集电级-发射级 电压 .............................. 100 v
发射级-根基 电压 ......................................... 7 v
集电级 电流........................................... 50 毫安
集电级 电流 (t=1 ms).......................... 100 毫安
电源 消耗 ...................................... 150 mw
包装
分开 测试 电压 (在 发射级 和
探测器 涉及 至 climate din 40046,
部分 2, 十一月 74) (t=1 秒.)..............5300 vac
RMS
Creepage
........................................................... ≥
7 mm
Clearance
.......................................................... ≥
7 mm
分开 厚度 在 发射级 和
探测器
....................................................... ≥
0.4 mm
comparative 追踪 index 每
din iec 112/vde0303, 部分 1........................175
分开 阻抗
V
IO
=500 v, t
一个
=25
°
C
................................... ≥
10
12
Ω
V
IO
=500 v, t
一个
=100
°
C
................................. ≥
10
11
Ω
存储 温度 范围........ –55
°
c 至 +150
°
C
包围的 温度 范围....... –55
°
c 至 +100
°
C
接合面 温度 ....................................100
°
C
焊接 温度 (最大值. 10 s, 插件 焊接:
距离 至 seating 平面
≥
1.5 mm) ..........260
°
C
V
DE
特性
(t
一个
=25
°
c)
*TRIOS
—
TR
ansparent
IO
n
S
hield
标识 单位 情况
发射级
向前 电压 V
F
1.25
(
≤
1.65)
VI
F
=60 毫安
损坏 电压 V
BR
≥
6VI
R
=10
µ
一个
反转 电流 I
R
0.01 (
≤
10)
µ
AV
R
=6 v
电容 C
O
25 pF V
F
=0 v, f=1 mhz
热的 阻抗 R
THJamb
750
°
c/w
探测器
电容
集电级-发射级
集电级-根基
发射级-根基
C
CE
C
CB
C
EB
6.8
8.5
11
pF f=1 mhz
V
CE
=5 v
V
CB
=5 v
V
EB
=5 v
热的 阻抗 R
THJamb
500
°
c/w
包装
饱和 电压,
集电级-发射级 V
CEsat
0.25 (
≤
0.4) V I
F
=10 毫安,
I
C
=2.5 毫安
连接 电容 C
IO
0.6 pF V
i-o
=0, f=1 mhz
维度 在 英寸 (mm)
.010 (.25)
.014 (.35)
.110 (2.79
)
.150 (3.81)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.020 (.051) 最小值
.300 (7.62)
典型值
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 (2.54) 典型值
.039
(1.00)
最小值
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.248 (6.30)
.256 (6.50)
.335 (8.50)
.343 (8.70)
管脚 一个 id
6
5
4
12
3
18
°
典型值
.300 (7.62)
.347 (8.82)
4
°
典型值
1
2
3
6
5
4
根基
集电级
发射级
Anode
Cathode
NC
sfh601 序列
TRIOS
* phototransistor
OPTOCOUPLER
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