2KBP005M–2KBP10M 1 的 3©2002W在-T运算Electronics
2kbp005m – 2kbp10m
2.0a glass 钝化的 桥 整流器
特性
!
glass 钝化的 消逝 构建
!
低 向前 电压 漏出 l 一个
!
高 电流 能力
!
高 可靠性
!
高 surge 电流 能力 b
J
!
完美的 为 打印 电路 boards +
~ ~ -
c k
机械的 数据
!
情况: 模塑的 塑料 h i
!
terminals: 镀有 leads solderable 每
mil-标准-202, 方法 208 e
!
极性: 作 marked 在 身体 g
!
重量: 1.7 grams (approx.) d
!
挂载 位置: 任何
!
标记: 类型 号码
最大 比率 和 电的 特性
@T
一个
=25°c 除非 否则 指定
单独的 阶段, half 波, 60hz, resistive 或者 inductive 加载.
为 电容的 加载, 减额 电流 用 20%.
典型的 标识
2KBP
005M
2KBP
01M
2KBP
02M
2KBP
04M
2KBP
06M
2KBP
08M
2KBP
10M
单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
50 100 200 400 600 800 1000 V
rms 反转 电压 V
r(rms)
35 70 140 280 420 560 700 V
平均 调整的 输出 电流
(便条 1) @t
一个
= 50°c
I
O
2.0 一个
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流
8.3ms 单独的 half sine-波 superimposed 在
评估 加载 (电子元件工业联合会 方法)
I
FSM
60 一个
向前 电压 (每 元素) @i
F
= 2.0a V
FM
1.1 V
顶峰 反转 电流 @t
一个
= 25°c
在 评估 直流 blocking 电压 @t
一个
= 100°c
I
RM
10
500
µA
比率 为 fusing (t<8.3ms) I
2
t
15 一个
2
s
典型 接合面 电容 每 元素 (便条 2) C
j
25 pF
典型 热的 阻抗 (便条 3) R
JA
30 k/w
运行 和 存储 温度 范围 T
j,
T
STG
-55 至 +165 °C
便条: 1. leads maintained 在 包围的 温度 在 一个 距离 的 9.5mm 从 这 情况.
2. 量过的 在 1.0 mhz 和 应用 反转 电压 的 4.0v d.c.
3. 热的 阻抗 接合面 至 包围的 挂载 在 pc 板 和 12mm
2
铜 垫子.
WTE
电源 半导体
KBP
Dim 最小值 最大值
一个
14.22 15.24
B
10.67 11.68
C
15.2 —
D
4.57 5.08
E
3.60 4.10
G
2.16 2.67
H
0.76 0.86
I
1.52 —
J
11.68 12.7
K
12.7 —
L
3.2 x 45° 典型
所有 维度 在 mm
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