2kbp005m/3n253 - 2kbp10m/3n259
2kbp005/3n253-2kbp10/3n259, rev.
D
2001 仙童 半导体 公司
2kbp005m/3n253 - 2kbp10m/3n259
桥 整流器
绝对 最大 ratings*
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
特性
•
surge 超载 比率: 60 amperes
顶峰.
•
可依靠的 低 费用 构建 utilizing
模塑的 塑料 技巧.
•
ul certified, ul #e111753.
标识 参数 设备 单位
V
F
向前 电压, 每 桥 @ 3.14 一个 1.1 V
I
R
反转 电流, 总的 桥 @ 评估 v
R
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 125
°
C
5.0
500
µ
一个
µ
一个
I
2
t 比率 为 fusing t < 8.35 ms 15 一个
2
s
C
T
总的 电容, 每 leg
V
R
= 4.0 v, f = 1.0 mhz
25 pf
标识
参数
值
单位
P
D
电源 消耗 4.7 W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的,* 每 leg 30
°
c/w
KBPM
+
~
~
-
值
Symbol
参数
005m 01m 02m 04m 06m 08m 10M
单位
253 254 255 256 257258 259
V
RRM
最大 repetitive 反转 电压 50 100 200 400 600 800 1000 V
V
RMS
最大 rms 桥 输入 电压 35 70 140 280 420 560 700 V
V
R
直流 反转 电压 (评估 v
R
) 50 100 200 400 600800 1000 V
I
f(av)
平均 调整的 向前 电流,
@ t
一个
= 50°c
2.0 一个
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流 60 一个
T
stg
存储 温度 范围 -55 至 +165
°
C
T
J
运行 接合面 温度 -55 至 +165
°
C
热的 特性
*
设备 挂载 在 pcb 和 0.47 x 0.47" (12 x 12 mm).
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