1
文件 号码
4650.2
hgtp1n120bnd, hgt1s1n120bnds
5.3a, 1200v, npt 序列 n-频道 igbt
和 反对-并行的 hyperfast 二极管
这 hgtp1n120bnd 和 这 hgt1s1n120bnds 是
N
在-
P
unch
T
hrough (npt) igbt 设计. 它们 是 新
members 的 这 mos gated 高 电压 切换 igbt
家族. igbts 联合的 这 最好的 特性 的 mosfets 和
双极 晶体管. 这个 设备 有 这 高 输入 阻抗
的 一个 场效应晶体管 和 这 低 在-状态 传导 丧失 的 一个
双极 晶体管.
这 igbt 是 开发 类型 号码 ta49316. 这 二极管
使用 在 反对-并行的 和 这 igbt 是 这 rhrd4120
(ta49056).
这 igbt 是 完美的 为 许多 高 电压 切换
产品 运行 在 moderate 发生率 在哪里 低
传导 losses 是 essential, 此类 作: 交流 和 直流 发动机
控制, 电源 供应 和 驱动器 为 solenoids, 接转
和 contactors.
formerly developmental 类型 ta49314.
标识
特性
• 5.3a, 1200v, t
C
= 25
o
C
• 1200v 切换 soa 能力
• 典型 e
止
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
µ
j 在 t
J
= 150
o
C
• 短的 电路 比率
• 低 传导 丧失
•
温度 compensating
saber™ 模型
热的 阻抗
额外的刺激 模型 www.intersil.com/
• related literature
- tb334, “guidelines 为 焊接 表面 挂载
组件 至 pc boards”
包装
电子元件工业联合会 至-220ab
电子元件工业联合会 至-263ab
订货 信息
部分 号码 包装 BRAND
HGTP1N120BND 至-220ab 1N120BND
HGT1S1N120BNDS 至-263ab 1N120BND
便条: 当 订货, 使用 这 全部 部分 号码. 增加 这 后缀 9A
至 获得 这 至-263ab 在 录音带 和 卷轴, i.e. hgt1s1n120bnds9a.
C
E
G
E
C
G
集电级
(flange)
集电级
(flange)
E
G
intersil 公司 igbt 产品 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权
4,364,073 4,417,385 4,430,792 4,443,931 4,466,176 4,516,143 4,532,534 4,587,713
4,598,461 4,605,948 4,620,211 4,631,564 4,639,754 4,639,762 4,641,162 4,644,637
4,682,195 4,684,413 4,694,313 4,717,679 4,743,952 4,783,690 4,794,432 4,801,986
4,803,533 4,809,045 4,809,047 4,810,665 4,823,176 4,837,606 4,860,080 4,883,767
4,888,627 4,890,143 4,901,127 4,904,609 4,933,740 4,963,951 4,969,027
数据 薄板 january 2000
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 静电释放 处理 程序.
1-888-intersil 或者 321-724-7143
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版权
©
intersil 公司 2000
saber™ 是 一个 商标 的 analogy, 公司