©2001 仙童 半导体 公司 hgtg12n60c3d rev. b
HGTG12N60C3D
24a, 600v, ufs 序列 n-频道 igbt
和 反对-并行的 hyperfast 二极管
这 hgtg12n60c3d 是 一个mos gated 高 电压 切换
设备 结合 这 最好的 特性 的 mosfets 和 双极
晶体管. 这 设备 有 这 高 输入 阻抗 的 一个
场效应晶体管 和 这 低 在-状态 传导 丧失 的 一个 双极
晶体管. 这 更 更小的 在-状态 电压 漏出 varies 仅有的
moderately 在 25
o
c 和 150
o
c. 这 igbt 使用 是 这
开发 类型 ta49123. 这 二极管 使用 在 反对 并行的
和 这 igbt 是 这 开发 类型 ta49061.
这 igbt 是 完美的 为 许多 高 电压 切换
产品 运行 在 moderate 发生率 在哪里 低
传导 losses 是 essential.
formerly developmental 类型 ta49117.
标识
特性
• 24a, 600v 在 t
C
= 25
o
C
• 典型 下降 时间. . . . . . . . . . . . . . . . 210ns 在 t
J
= 150
o
C
• 短的 电路 比率
• 低 传导 丧失
• hyperfast 反对-并行的 二极管
包装
电子元件工业联合会 样式 至-247
订货 信息
部分 号码 包装 BRAND
HGTG12N60C3D 至-247 G12N60C3D
便条: 当 订货, 使用 这 全部 部分 号码.
C
G
E
C
E
G
仙童 公司 igbt 产品 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权
4,364,073 4,417,385 4,430,792 4,443,931 4,466,176 4,516,143 4,532,534 4,587,713
4,598,461 4,605,948 4,620,211 4,631,564 4,639,754 4,639,762 4,641,162 4,644,637
4,682,195 4,684,413 4,694,313 4,717,679 4,743,952 4,783,690 4,794,432 4,801,986
4,803,533 4,809,045 4,809,047 4,810,665 4,823,176 4,837,606 4,860,080 4,883,767
4,888,627 4,890,143 4,901,127 4,904,609 4,933,740 4,963,951 4,969,027
数据 薄板 12月 2001
: 点此下载
