技术的 数据
npn 电源 硅 晶体管
qualified 每 mil-PRF-19500/407
设备 qualified 水平的
2N3055
JAN
JANTX
最大 比率
比率 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
70 Vdc
集电级-根基 电压
V
CBO
100 Vdc
Emitter-根基 电压
V
EBO
7.0 Vdc
根基 电流
I
B
7.0 模数转换器
集电级 电流
I
C
15 模数转换器
总的 电源 消耗@ t
一个
= 25
0
C
(1)
@ t
C
= 25
0
C
(2)
P
T
6.0
117
W
W
运行 &放大; 存储 温度 范围
T
运算,
T
stg
-65 至+200
0
C
热的 特性
特性 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面-至-情况
R
θ
JC
1.5
0
c/w
1) 减额 成直线地 @ 34.2 mw/
0
c 为 t
一个
> +25
0
C
2) 减额 成直线地 @ 668 mw/
0
c 为 t
C
> +25
0
C
至-3*
(至-204aa)
*see appendix 一个 为
包装 外形
电的 特性
特性
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 200 madc
V
(br)
CEO
70 Vdc
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 200 madc, r
是
= 100
Ω
V
(br)
CER
80 Vdc
集电级-发射级 损坏 电压
V
是
=-1.5 vdc, i
C
= 200 madc
V
(br)
CEX
90 Vdc
集电级-发射级 截止 电流
V
CE
= 60 vdc
I
CEO
1.0 mAdc
集电级-发射级 截止 电流
V
是
=-1.5 vdc; v
CE
= 100 vdc
I
CEX
1.0 mAdc
Emitter-根基 截止 电流
V
EB
= 7.0 vdc
I
EBO
1.0 mAdc
6 lake 街道, lawrence, 毫安 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
120101
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