2N5109_集成电路资料查询网

msc1304.pdf  10-25-99
2N5109
描述:
硅 npn 晶体管, 设计 为 vhf 和 uhf 设备.  产品 包含 放大器; 前-驱动器, driver, 和
输出  stages.也 合适的 为 振荡器 和 频率-乘法器 功能.
绝对 最大 比率
(tcase = 25
°
c)
标识 参数 值 单位
V
CEO
集电级-发射级 电压 20 Vdc
V
CBO
集电级-根基 电压 40 Vdc
V
EBO
发射级-根基 电压 3.0 Vdc
IC 集电级 电流 400 毫安
热的 数据
P
D
总的 设备 消耗 @ t
C
= 75ºc (1)
减额 在之上 25ºc
2.5
20
Watts
mw/º
C
便条 1. 总的 设备 消耗 在
T
一个
=
25ºc 是 1 watt.
1. 发射级
2. 根基
3. 集电级
至-39
特性
•
硅 npn, 至-39 packaged vhf/uhf 晶体管
•
1.2ghz 电流-增益 带宽 产品 @ 50ma
•
最大 unilateral 增益 = 12db (典型值) @ 200 mhz
rf &放大; 微波 分离的
低 电源 晶体管
140 commerce 驱动
montgomeryville, pa
18936-1013
phone: (215) 631-9840
传真: (215) 631-9855

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msc1304.pdf 10-25-99 2N5109 描述: 硅 npn 晶体管, 设计为 vhf 和 uhf 设备. 产品包含放大器; 前-驱动器, driver, 和输出 stages.也合适的为振荡器和频率-乘法器功能. 绝对最大比率 (tcase = 25 ° c) 标识参数值单位 V CEO 集电级-发射级电压 20 Vdc V CBO 集电级-根基电压 40 Vdc V EBO 发射级-根基电压 3.0 Vdc IC 集电级电流 400 毫安热的数据 P D 总的设备消耗 @ t C = 75ºc (1) 减额在之上 25ºc 2.5 20 Watts mw/º C 便条 1. 总的设备消耗在 T 一个 = 25ºc 是 1 watt. 1. 发射级 2. 根基 3. 集电级至-39 特性 • 硅 npn, 至-39 packaged vhf/uhf 晶体管 • 1.2ghz 电流-增益带宽产品 @ 50ma • 最大 unilateral 增益 = 12db (典型值) @ 200 mhz rf &放大; 微波分离的低电源晶体管 140 commerce 驱动 montgomeryville, pa 18936-1013 phone: (215) 631-9840 传真: (215) 631-9855

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