特性
直接 替换为 siliconix 2n5114
低 在 阻抗 75
Ω
低 电容 6pF
绝对 最大 比率
1
@ 25 °c (除非 否则 陈述)
最大 温度
存储 温度 -55 至 200°c
接合面 运行 温度 -55 至 200°c
最大 电源消耗
持续的 电源 消耗 500mW
最大 电流
门 电流 -50ma
最大 电压
门 至 流 30V
门 至 源 30V
静态的 电的 特性 @25 °c (除非 否则 陈述)
2N5114 2N5115 2N5116
sym. 典型的 典型值
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
单位 情况
BV
GSS
门 至 源 损坏 电压 30 30 30 I
G
= 1µa, v
DS
= 0v
V
gs(止)
门 至 源 截止 电压 5 10 3 6 1 4 V
DS
= -15v, i
D
= -1na
V
gs(f)
门 至 源 向前 voltage -0.7 -1 -1 -1 I
G
= -1ma, v
DS
= 0v
-1.0 -1.3 V
GS
= 0v, i
D
= -15ma
-0.7 -0.8 V
GS
= 0v, i
D
= -7ma
V
ds(在)
流 至 源 在 电压
-0.5 -0.6
V
V
GS
= 0v, i
D
= -3ma
-30 -90 V
DS
= -18v, v
GS
= 0v
I
DSS
流 至 源饱和 电流
2
-15 -60 -5 -25
毫安
V
DS
= -15v, v
GS
= 0v
I
GSS
门 泄漏 电流 5 500 500 500 V
GS
= 20v, v
DS
= 0v
I
G
门 运行 电流 -5 V
DG
= -15v, i
D
= -1ma
-10 -500 V
DS
= -15v, v
GS
= 12v
-10 -500 V
DS
= -15v, v
GS
= 7v
I
d(止)
流 截止 电流
-10 -500
pA
V
DS
= -15v, v
GS
= 5v
r
ds(在)
流 至 源 在 阻抗 75 100 150
Ω
V
GS
= 0v, i
D
= -1ma
G
S
D
2
1
3
bottom 视图
至-18
直线的 整体的 系统s
2n5114 序列
单独的 p-频道 jfet
直线的 整体的 系统s
• 4042 clipper court • fremont, ca 94538 • 电话: 510 490-9160 • 传真: 510 353-0261
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