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资料编号：38812
 
资料名称：2SA1235A
 
文件大小： 313.35K
   
说明：
 
介绍:
PNP TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SA1235A
晶体管 PNP
特性
电源 消耗
P
CM
集电级 电流
I
cm:
-0.2 一个
Collector-根基 电压
V
(br) cbo
:-60V
Operating 和 存储 接合面 温度 范围
T
J
T
stg
:-55 至 +150
电的 特性 Tamb=25 除非 否则 指定
Parameter
标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
集电级-根基 损坏 电压
V
(br) cbo
I
C
=-100 一个 I
E
=0
-60 V
集电级-emitter 损坏 电压
V
(br) ceo
I
C
=-100 一个 I
B
=0
-50 V
发射级-根基 损坏 电压
V
(br)ebO
I
E
=-100 一个 I
C
=0
-6 V
集电级 截-止 电流
I
CBO
V
CB
=-60v,I
E
=0 -0.1
一个
发射级 截-止 电流
I
EBO
V
EB
=-6v, I
C
=0 -0.1
一个
h
FE 1
V
CE
=-6v, I
C
=-1m一个 150 500
直流 电流 增益
h
FE 2
V
CE
=-6V, i
C
=-0.1m一个 90
集电级-发射级 饱和 电压
V
CE
(sat) I
C
=-100毫安,I
B
=-10m一个 -0.3 V
Base-发射级 饱和 电压
V
是
(sat) I
C
=-100m一个,I
B
=-10m一个 -1 V
转变 频率
f
T
V
CE
=-6v, I
C
=-10mA 180 MHz
集电级输出 电容
C
ob
V
CE
=-6V I
E
=0 f=1MHz
5 dB
噪音 图示
NF
V
CE
=-6V I
E
=0.3ma, f=100hz
R
G
=10K?
20 dB
分类 的 hfe
(1)
分级
E F
范围
150~300 250~500
标记
M•E M•F
单位 :mm
SOT 23
1. 根基
2. 发射级
3. 集电级
Dong guan shi hU一个 yUANELECTR在co.,LTD.
电话
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