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资料编号:390443
 
资料名称:HY57V641620HGT-HI
 
文件大小: 145.13K
   
说明
 
介绍:
4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
 
 


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hy57v641620hg-i 序列
4 banks x 1m x 16bit 同步的 dram
这个 文档 是 一个 一般 产品 描述 和 是 主题至 改变 没有 注意. hynix 半导体 做 不 假设 任何责任 为 使用
的 电路 描述. 非 专利权 许可 是 暗指.
rev. 1.0/jan. 021
描述
这 hynix hy57v641620hg 是 一个 67,108,864-位 cmos 同步的 dram, ideally suited 为 这 mobile 产品 r 这个 需要
低 电源 消耗量 和 扩展 温度 范围. hy57v641620hg 是 有组织的 作 4banks 的 1,048,576x16.
hy57v641620hg 是 offering 全部地 同步的 运作 关联 至 一个 积极的 边缘 的 这 时钟. 所有 输入 和 输出 是 synchro-
nized 和 这 rising 边缘 的 这 时钟 输入. 这 数据 paths 是 内部 pipelined 至 达到 非常 高 带宽. 所有 input 和 输出
可编程序的 选项 包含 这 长度 的 pipeline (读 latency 的 2 或者 3), 这 号码 的 consecutive 读 或者 写 循环 在itiated
用 一个 单独的 控制 command (burst 长度 的 1,2,4,8 或者 全部页), 和 这 burst 计数 sequence(sequential 或者 interleave). 一个 burst 的
读 或者 写 循环 在 progress 能 是 terminated 用 一个 burst terminate command 或者 能 是 interrupted 和 replaced 用 一个 新 burst
读 或者 写 command 在 任何 循环. (这个 pipelined 设计 是 不 restricted 用 一个 `2n` rule.)
特性
单独的 3.3
±
0.3v 电源 供应
便条)
所有 设备 管脚 是 兼容 和 lvttl 接口
电子元件工业联合会 标准 400mil 54pin tsop-ii 和 0.8mm
的 管脚 程度
所有 输入 和 输出 关联 至 积极的 边缘 的
系统 时钟
内部的 四 banks 运作
自动 refresh 和 自 refresh
4096 refresh 循环 / 64ms
可编程序的 burst 长度 和 burst 类型
- 1, 2, 4, 8 或者 全部 页 为 sequential burst
- 1, 2, 4 或者 8 为 interleave burst
可编程序的 cas
latency ; 2, 3 clocks
订货 信息
便条 : vdd(最小值) 的 hy57v641620hg(l)t-5i/55i/6i 是 3.135v
部分 非. 时钟 频率 电源 Organization 接口 包装
hy57v641620hgt-5i/55i/6i/7i 200/183/166/143mhz
正常的
4banks x 1mbits
x16
LVTTL 400mil 54pin tsop ii
hy57v641620hgt-ki 133MHz
hy57v641620hgt-hi 133MHz
hy57v641620hgt-8i 125MHz
hy57v641620hgt-pi 100MHz
hy57v641620hgt-si 100MHz
hy57v641620hglt-5i/55i/6i/7i 200/183/166/143mhz
低 电源
hy57v641620hglt-ki 133MHz
hy57v641620hglt-hi 133MHz
hy57v641620hglt-8i 125MHz
hy57v641620hglt-pi 100MHz
hy57v641620hglt-si 100MHz
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