emx2 / emx3 / umx2n / umx3n
/
imx2 / imx3
晶体管
一般 目的 (双 晶体管)
emx2 / emx3 / umx2n / umx3n / imx2 / imx3
!
特性
1) 二 2sc2412ak 碎片 在 一个 emt 或者 umt 或者 smt 包装.
!
相等的 电路
(1)(2)(3)
(4)
(5) (6)
(6)(5)(4)
(3)
(2) (1)
(1)(2)(3)
(4)
(5) (6)
(6)(5)(4)
(3)
(2) (1)
emx2 / umx2n IMX2
emx3 / umx3n IMX3
!
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数 标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
限制
60
50
7
150
300(总的)
150(总的)
emx2 / emx3 / umx2n / umx3n
imx2 / imx3
150
−
55
~
+
150
单位
V
V
V
毫安
mW
°
C
°
C
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
集电级 电源
消耗
接合面 温度
存储 温度
∗
1 120mw 每 元素 必须 不 是 超过.
∗
2 200mw 每 元素 必须 不 是 超过.
∗
1
∗
2
!
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值
单位
情况
转变 频率
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
ce(sat)
h
FE
f
T
60
50
7
−
−
−
120
−
−
−
−
−
−
−
−
180
−
−
−
0.1
0.1
0.4
560
−
V
V
V
µ
一个
µ
一个
V
−
MHz
∗
Cob
−
2 3.5 pF
I
C
=
50
µ
一个
I
C
=
1mA
I
E
=
50
µ
一个
V
CB
=
60V
V
EB
=
7V
V
CE
=
12v, i
E
=−
2ma, f
=
100MHz
V
CB
=
12v, i
E
=
0ma, f
=
1kHz
I
C
/i
B
=
50ma/5ma
V
CE
=
6v, i
C
=
1mA
∗
转变 频率 的 这 设备.
集电级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
发射级-根基 损坏 电压
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
集电级-发射级 饱和 电压
直流 电流 转移 比率
输出 电容
!
包装, 标记, 和 包装 规格
类型
EMX2
EMT6
X2
T2R
8000
EMX3
EMT6
X3
T2R
8000
UMX2N
UMT6
X2
TR
3000
UMX3N
UMT6
X3
TR
3000
IMX2
SMT6
X2
T108
3000
IMX3
SMT6
X3
T108
3000
包装
标记
代号
基本 订货 单位 (片)
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