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资料编号:406901
 
资料名称:IR2010SPBF
 
文件大小: 227.05K
   
说明
 
介绍:
HIGH AND LOW SIDE DRIVER
 
 


: 点此下载
 
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
特性
floating 频道 设计 为 自举 运作
全部地 运算的 至 200v
tolerant 至 负的 瞬时 电压, dv/dt 不受影响
门 驱动 供应 范围 从 10 至 20v
欠压 lockout 为 两个都 途径
3.3v 逻辑 兼容
独立的 逻辑 供应 范围 从 3.3v 至 20v
逻辑 和 电源 地面 ±5v 补偿
cmos 施密特-triggered 输入 和 拉-向下
shut 向下 输入 转变 止 两个都 途径
matched 传播 延迟 为 两个都 途径
也 有 含铅的-自由
包装
高 和 低 一侧 驱动器
产品 summary
V
补偿
200v 最大值
I
O
+/- 3.0a / 3.0a 典型值
V
输出
10 - 20v
t
开关
95 &放大; 65 ns 典型值
延迟 相一致 15 ns 最大值
描述
这 ir2010 是 一个 高 电源, 高 电压, 高 速 电源 场效应晶体管 和 igbt
驱动器 和 独立 高 和 低 一侧 关联 输出 途径, 完美的 为 音频的
类 d 和 直流-直流 转换器 产品. 逻辑 输入 是 兼容 和 标准
cmos 或者 lsttl 输出, 向下 至 3.0v 逻辑. 这 输出 驱动器 特性 一个 高 脉冲波
电流 缓存区 平台 设计 为 最小 驱动器 交叉-传导. 传播 de-
lays 是 matched 至 使简化 使用 在 高 频率 产品. 这 floating 频道
能 是 使用 至 驱动 一个 n-频道 电源 场效应晶体管 或者 igbt 在 这 高 一侧 configura-
tion 这个 运作 向上 至 200 伏特. 专卖的 hvic 和 获得 不受影响 cmos tech-
nologies 使能 加固 大而单一的 构建.
ir2010(
S
) &放大; (pbf)
14-含铅的 pdip
16-含铅的 soic
www.irf.com 1
典型 连接


















(谈及 至 含铅的 assignments 为 准确无误的 配置). 这个/这些 图解(s) 显示 电的 连接 only.
请 谈及 至 我们的 应用 注释 和 designtips 为 恰当的 电路 板 布局.
数据 薄板 非. pd60195-d
产品
音频的 类 d 放大器
高 电源 直流-直流 smps 转换器
其它 高 频率 产品
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