参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 电压 600 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 16
I
C
@ t
C
= 100°c 持续的 集电级 电流 9.0
I
CM
搏动 集电级 电流
64 一个
I
LM
clamped inductive 加载 电流
64
I
F
@ t
C
= 100°c 二极管 持续的 向前 电流 8.0
I
FM
二极管 最大 向前 电流 60
V
GE
门-至-发射级 电压 ± 20 V
P
D
@ t
C
= 25°c 最大电源消耗 60
P
D
@ t
C
= 100°c 最大电源消耗 24
T
J
运行接合面和 -55 至 +150
T
STG
存储 温度 范围 °C
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 - igbt ––– 2.1
R
θ
JC
接合面-至-情况 - 二极管 ––– 3.5 °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ( pcb 挂载,稳步的-状态)* ––– 80
Wt 重量 1.44 ––– g (oz)
irg4bc20fd-s
insulated 门 双极 晶体管 和
ultrafast 软 恢复 二极管
FeaturesFeatures
FeaturesFeatures
特性
E
G
n-频道
C
V
CES
= 600v
V
ce(在) 典型值
= 1.66v
@V
GE
= 15v, i
C
= 9.0a
热的 阻抗
快 copack igbt
4/24/2000
绝对 最大 比率
•
快: 优化 为 中等 运行
发生率 ( 1-5 khz 在 hard 切换, >20
khz 在 resonant 模式).
•
一代 4 igbt 设计 提供 tighter
参数 分发 和 高等级的 效率 比
一代 3
•
igbt co-packaged 和 hexfred
TM
ultrafast,
过激-软-恢复 反对-并行的 二极管 为 使用
在 桥 配置
•
工业 标准 d
2
pak 包装
益处
•
一代 4 igbts 提供 最高的 efficiencies
有
•
igbts 优化 为 明确的 应用 情况
•
hexfred 二极管 优化 为 效能 和
igbts . 使减少到最低限度 恢复 特性 需要
较少/非 snubbing
•
设计 至 是 一个 "漏出-在" 替换 为 相等的
工业-标准 一代 3 ir igbts
W
2
d pak
* 当 挂载 在 1" 正方形的 pcb (fr-4 或者 g-10 材料 ). 为 推荐 footprint 和 焊接 技巧
谈及 至 应用 便条 #an-994.
www.irf.com 1
pd -91783a
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