irlr/u120n
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
S
D
G
V
DSS
= 100v
R
ds(在)
= 0.185
Ω
I
D
= 10a
描述
5/11/98
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 10
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 7.0 一个
I
DM
搏动 流 电流
35
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 48 W
直线的 减额 因素 0.32 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 16 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
85 mJ
I
AR
avalanche 电流
6.0 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
4.8 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
绝对 最大 比率
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 3.1
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载) ** ––– 50 °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 110
热的 阻抗
D-p一个K
至-252aa
i-pak
至-251aa
表面 挂载 (irlr120n)
笔直地 含铅的 (irlu120n)
先进的 处理 技术
快 切换
全部地 avalanche 评估
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到 这
最低 可能 在-阻抗 每 硅 范围. 这个
益处, 联合的 和 这 快 切换 速 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者
和 一个 极其 效率高的 设备 为 使用 在 一个 宽
多样性 的 产品.
这 d-pak 是 设计 为 表面 挂载 使用
vapor 阶段, infrared, 或者 波 焊接 技巧.
这 笔直地 含铅的 版本 (irfu 序列) 是 为 通过-
孔 挂载 产品. 电源 消耗 水平
向上 至 1.5 watts 是 可能 在 典型 表面 挂载
产品.
pd - 91541b
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