IRL630A_集成电路资料查询网

IRL630A
BV
DSS
=  200 v
R
ds(在)
=  0.4
Ω
I
D
=  9 一个
200
9
5.7
32
±
20
54
9
6.9
5
69
0.55
- 55  至  +150
300
1.81
--
62.5
--
0.5
--
1
♦
逻辑-水平的 门 驱动
♦
avalanche  坚毅的  技术
♦
坚毅的  门  oxide  技术
♦
更小的  输入  电容
♦
改进  门  承担
♦
扩展  safe  运行  范围
♦
更小的  泄漏  电流: 10
µ
一个 (最大值.)  @  v
DS
= 200v
♦
更小的  r
ds(在)
: 0.335
Ω
(典型值.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
热的  阻抗
接合面-至-情况
情况-至-下沉
接合面-至-包围的
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
°
c/w
典型的 最大值 UnitsSymbol 典型值
特性
绝对  最大  比率
流-至-源 电压
持续的  流  电流  (t
C
=25
°
c)
持续的  流  电流  (t
C
=100
°
c)
流  电流-搏动
(1)
门-至-源  电压
单独的  搏动  avalanche  活力
(2)
avalanche  电流
(1)
repetitive  avalanche  活力
(1)
顶峰  二极管  恢复  dv/dt
(3)
总的  电源  消耗  (t
C
=25
°
c)
直线的  减额  因素
运行  接合面  和
存储  温度  范围
最大  含铅的  温度  为  焊接
目的,  1/8
从  情况  为  5-秒
典型的 值 UnitsSymbol
I
DM
V
GS
E
作
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, t
STG
T
L
一个
V
mJ
一个
mJ
v/ns
W
w/
°
C
一个
°
C
V
DSS
V
至-220
1.门  2. 流  3. 源
3
2
1
©1999 仙童 半导体 公司
rev. b

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IRL630A BV DSS = 200 v R ds(在) = 0.4 Ω I D = 9 一个 200 9 5.7 32 ± 20 54 9 6.9 5 69 0.55 - 55 至 +150 300 1.81 -- 62.5 -- 0.5 -- 1 ♦ 逻辑-水平的门驱动 ♦ avalanche 坚毅的技术 ♦ 坚毅的门 oxide 技术 ♦ 更小的输入电容 ♦ 改进门承担 ♦ 扩展 safe 运行范围 ♦ 更小的泄漏电流: 10 µ 一个 (最大值.) @ v DS = 200v ♦ 更小的 r ds(在) : 0.335 Ω (典型值.) $GYDQFHG 3RZHU 026)(7 热的阻抗接合面-至-情况情况-至-下沉接合面-至-包围的 R θ JC R θ CS R θ JA ° c/w 典型的最大值 UnitsSymbol 典型值特性绝对最大比率流-至-源电压持续的流电流 (t C =25 ° c) 持续的流电流 (t C =100 ° c) 流电流-搏动 (1) 门-至-源电压单独的搏动 avalanche 活力 (2) avalanche 电流 (1) repetitive avalanche 活力 (1) 顶峰二极管恢复 dv/dt (3) 总的电源消耗 (t C =25 ° c) 直线的减额因素运行接合面和存储温度范围最大含铅的温度为焊接目的, 1/8 从情况为 5-秒典型的值 UnitsSymbol I DM V GS E 作 I AR E AR dv/dt I D P D T J , t STG T L 一个 V mJ 一个 mJ v/ns W w/ ° C 一个 ° C V DSS V 至-220 1.门 2. 流 3. 源 3 2 1 ©1999 仙童半导体公司 rev. b

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