irlr/u120a
BV
DSS
= 100 v
R
ds(在)
= 0.22
Ω
I
D
= 8.4 一个
100
8.4
5
29
±
20
94
8.4
3.5
6.5
2.5
35
0.28
- 55 至 +150
300
3.5
50
110
--
--
--
1
♦
avalanche 坚毅的 技术
♦
坚毅的 门 oxide 技术
♦
更小的 输入 电容
♦
改进 门 承担
♦
扩展 safe 运行 范围
♦
更小的 泄漏 电流: 10
µ
一个 (最大值.) @ v
DS
= 100v
♦
更小的 r
ds(在)
: 0.176
Ω
(典型值.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
热的 阻抗
接合面-至-情况
接合面-至-包围的
接合面-至-包围的
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
°
c/w
典型的 最大值 UnitsSymbol 典型值
特性
*
*
当 挂载 在 这 最小 垫子 大小 推荐 (pcb 挂载).
绝对 最大 比率
流-至-源 电压
持续的 流 电流 (t
C
=25
°
c)
持续的 流 电流 (t
C
=100
°
c)
流 电流-搏动
(1)
门-至-源 电压
单独的 搏动 avalanche 活力
(2)
avalanche 电流
(1)
repetitive avalanche 活力
(1)
顶峰 二极管 恢复 dv/dt
(3)
总的 电源 消耗 (t
一个
=25
°
c)
总的 电源 消耗 (t
C
=25
°
c)
直线的 减额 因素
运行 接合面 和
存储 温度 范围
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8
从 情况 为 5-秒
典型的 值 UnitsSymbol
I
DM
V
GS
E
作
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
I
D
T
J
, t
STG
T
L
一个
V
mJ
一个
mJ
v/ns
W
W
w/
°
C
一个
°
C
V
DSS
V
*
d-pak
1. 门 2. 流 3. 源
1
2
3
i-pak
1
3
2
©1999 仙童 半导体 公司
rev. b
: 点此下载
