整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
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1
rev. 00C
09/29/03
IS42S32200B
ISSI
®
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特性
• 时钟 频率: 166, 143 mhz
• 全部地 同步的; 所有 信号 关联 至 一个
积极的 时钟 边缘
• 内部的 bank 为 hiding 行进入/precharge
• 单独的 3.3v 电源 供应
• lvttl 接口
• 可编程序的 burst 长度:
(1, 2, 4, 8, 全部 page)
• 可编程序的 burst sequence:
sequential/interleave
• 自 refresh 模式
• 4096 refresh 循环 每 64 ms
• 随机的 column 地址 每 时钟 循环
• 可编程序的
CAS
latency (2, 3 clocks)
• burst 读/写 和 burst 读/单独的 写
行动 能力
• burst 末端 用 burst 停止 和 precharge
command
• 工业的 温度 有效性
• 包装 400-mil 86-管脚 tsop ii
• 含铅的 自由 包装 是 有
OVERVIEW
ISSI
's 64mb 同步的 dram is42s32200b 是
有组织的 作 524,288 位 x 32-位 x 4-bank 为 改进
效能. 这 同步的 drams 达到 高-
速 数据 transfer 使用 pipeline architecture. 所有 输入
和 输出 信号 谈及 至 这 rising 边缘 的 这 时钟
输入.
512k 位 x 32 位 x 4 banks (64-mbit)
同步的 动态 内存
初步的 信息
九月 2003
管脚 配置
(86-管脚 tsop (类型 ii)
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
GNDQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
GNDQ
DQ7
NC
V
DD
DQM0
我们
CAS
RAS
CS
NC
BA0
BA1
a10/ap
A0
A1
A2
DQM2
V
DD
NC
DQ16
GNDQ
DQ17
DQ18
V
DDQ
DQ19
DQ20
GNDQ
DQ21
DQ22
V
DDQ
DQ23
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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19
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38
39
40
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42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
地
DQ15
GNDQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
GNDQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
NC
地
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
地
NC
DQ31
V
DDQ
DQ30
DQ29
GNDQ
DQ28
DQ27
V
DDQ
DQ26
DQ25
GNDQ
DQ24
地
管脚 描述
a0-a10 地址 输入
ba0, ba1 bank 选择 地址
dq0 至 dq31 数据i/o
CLK 系统 时钟 输入
CKE 时钟 使能
CS
碎片 选择
RAS
行 地址 strobe command
CAS
column 地址 strobe command
我们
写 使能
dqm0 至 dqm3 输入/输出 掩饰
V
DD
电源
地 地面
V
DDQ
电源 供应 为 dq 管脚
地
Q
地面 为 dq 管脚
NC 非 连接
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