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标识 测试 情况 最大比率
V
DSS
T
J
=25
°
C至150
°
C 500 V
V
DGR
T
J
= 25
°
c 至150
°
c; r
GS
= 1 m
Ω
500 V
V
GS
持续的
±
20 V
V
GSM
瞬时
±
30 V
I
D25
T
C
= 25
°
C 24N50 24 一个
26N50 26 一个
I
DM
T
C
= 25
°
c, 便条1 24N50 96 一个
26N50 104 一个
I
AR
T
C
= 25
°
C 24N50 24 一个
26N50 26 一个
E
AR
T
C
= 25
°
C 30 mJ
E
作
T
C
= 25
°
C 1.5 J
dv/dt
I
S
≤
I
DM
, di/dt
≤
100 一个/
µ
s, v
DD
≤
V
DSS
, 5v/ns
T
J
≤
150
°
c, r
G
= 2
Ω
P
D
T
C
= 25
°
C 300 W
T
J
-55 ... +150
°
C
T
JM
150
°
C
T
stg
-55 ... +150
°
C
T
L
1.6 mm (0.063 在) 从 情况 为 10 s 300
°
C
M
d
挂载 torque 1.13/10 nm/lb.在.
重量
至-247 6 g
至-268 4 g
n-频道 增强 模式
avalanche 评估, 低 q
g
,
高 dv/dt
特性
ixys 先进的 低 q
g
处理
国际的 标准 包装
低 r
ds (在)
unclamped inductive 切换 (uis)
评估
快 切换
塑造epoxies满足UL
94
v-0
flammability 分类
有利因素
容易 至 挂载
空间 savings
高 电源 密度
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
µ
一个 500 V
V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 4 毫安 2.5 4.5 V
I
GSS
V
GS
=
±
20 v
直流
, v
DS
= 0
±
100 nA
I
DSS
V
DS
= v
DSS
T
J
= 25
°
C25
µ
一个
V
GS
= 0 v T
J
= 125
°
C1mA
R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.5 i
D25
24N50Q 0.23
Ω
便条2 26N50Q 0.20
Ω
98512G (5/01)
HiPerFET
TM
电源 mosfets
q-类
至-247 ad (ixfh)
(tab)
g = 门,d = 流,
s = 源,tab = 流
至-268 (d3) (ixft) 情况 样式
(tab)
G
S
V
DSS
I
D25
R
ds(在)
ixfh/ixft 24n50q 500 v 24 一个 0.23
ΩΩ
ΩΩ
Ω
ixfh/ixft 26n50q 500 v 26 一个 0.20
ΩΩ
ΩΩ
Ω
t
rr
≤ ≤
≤ ≤
≤
250 ns
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