©2003 仙童 半导体 公司 rev. b, 将 2003
KSB1151
pnp 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
* pw
≤
10ms, 职责 循环
≤
50%
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw
≤
350
µ
s, 职责 循环
≤
2% 搏动
h
FE
分类
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 - 60 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 - 60 V
V
EBO
发射级-根基 电压 - 7 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 5 一个
I
CP
*collector 电流 (脉冲波) - 8 一个
I
B
根基 电流 - 1 一个
P
C
集电级 消耗 (t
一个
=25
°
c) 1.3 W
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 20 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
= - 50v, i
E
= 0 - 10
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= - 7v, i
C
= 0 - 10
µ
一个
h
FE1
h
FE2
h
FE3
* 直流 电流 增益 V
CE
= - 1v, i
C
= - 0.1a
V
CE
= - 1v, i
C
= - 2a
V
CE
= - 2v, i
C
= - 5a
60
100
50
200 400
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= - 2a, i
B
= - 0.2a - 0.14 - 0.3 V
V
是
(sat) * 根基-发射级 饱和 电压 I
C
= - 2a, i
B
= - 0.2a - 0.9 - 1.2 V
t
在
转变 在 时间 V
CC
= - 10v, i
C
= - 2a
I
B1
= - i
B2
=0.2a
rl = 5
Ω
0.15 1
µ
s
t
STG
存储 时间 0.78 2.5
µ
s
t
F
下降 时间 0.18 1
µ
s
分类 O Y G
h
FE2
100 ~ 200 160 ~ 320 200 ~ 400
KSB1151
特性
• 低 集电级-发射级 饱和 电压
• 大 集电级 电流
• 高 电源 消耗 : p
C
=1.3w (t
一个
=25
°
c)
• complement 至 ksd 1691
1
至-126
1. 发射级 2.集电级 3.根基
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