初步的 规格
cmos lsi
le28f4001cts-12
4m-位 (512k × 8) flash 可擦可编程只读存储器
*this 产品 包含 技术 licensed 从 硅 存储 技术, 公司
这个 初步的 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
sanyo electric co., 有限公司. 半导体 公司
1-1, 1 chome, sakata, oizumi-machi, ora-gun, gunma, 370-0596 日本
修订 2.20-二月 23,2001-ay/ay-1/14
特性
cmos flash 可擦可编程只读存储器 技术
单独的 5-volt 读 和 写 行动
sector 擦掉 能力: 256 字节 每 sector
快 进入 时间: 120 ns
低 电源 消耗量
起作用的 电流(读): 25 毫安 (最大值.)
备用物品 电流: 20
µ
一个 (最大值.)
高 读/写 可靠性
sector-写 忍耐力 循环: 10
4
10 年 数据 保持
latched 地址 和 数据
自-安排时间 擦掉 和 程序编制
字节 程序编制: 40
µ
µµ
µ
s (最大值.)
终止 的 写 发现:toggle 位/
数据
Polling
硬件/软件 数据 保护
电子元件工业联合会 标准 字节-宽 可擦可编程只读存储器 pinouts
包装 有
le28f4001cts: 32-管脚 tsop 正常的(8×14mm)
产品 描述
这 le28f4001c 是 一个 512k
×
8 cmos sector 擦掉, 字节
程序 可擦可编程只读存储器. 这 le28f4001c 是 制造的
使用 sanyo's 专卖的, 高 效能 cmos flash
可擦可编程只读存储器 技术. breakthroughs 在 可擦可编程只读存储器 cell
设计 和 处理 architecture attain 更好的 可靠性 和
manufacturability 对照的 和 常规的 approaches.
这 le28f4001c erases 和 programs 和 一个 5-volt 仅有的
电源 供应. le28f4001c 遵从 至 电子元件工业联合会 标准
pinouts 为 字节 宽 memories 和 是 兼容 和
存在 工业 标准 非易失存储器, flash 非易失存储器 和
可擦可编程只读存储器 pinouts.
featuring 高 效能 程序编制, 这
le28f4001c 典型地 字节 programs 在 30
µ
s. 这
le28f4001c 典型地 sector (256 字节) erases 在 2ms. 两个都
程序 和 擦掉 时间 能 是 优化 使用 接口
特性 此类 作 toggle 位 或者
数据
polling 至 表明 这
completion 的 这 写 循环. 至 保护 相反 一个
inadvertent 写, 这 le28f4001c 有 在 碎片 硬件 和
软件 日期 保护 schemes. 设计, 制造的,
和 测试 为 一个 宽 spectrum 的 产品, 这
le28f4001c 是 offered 和 一个 有保证的 sector 写
忍耐力 的 10
4
循环. 数据 保持 是 评估 更好 然后
10 年.
这 le28f4001c 是 最好的 suited 为 产品 那
需要 reprogrammable nonvolatile mass 存储 的
程序 或者 数据 记忆. 为 所有 系统 产品, 这
le28f4001c significantly 改进 效能 和
可靠性, 当 lowering 电源 消耗量 当
对照的 和 floppy diskettes 或者 非易失存储器 approaches.
可擦可编程只读存储器 技术 制造 可能 便利的 和
economical updating 的 代号 和 控制 programs 在-线条.
这 le28f4001c 改进 flexibility, 当 lowering 这
费用, 的 程序 和 配置 存储 产品.
图示 1 显示 这 管脚 assignments 为 这 32 含铅的
塑料 tsop 包装. 图示 2 显示 这 函数的 块
图解 的 这 le28f4001c. 管脚 描述 和 运作
模式 能 是 建立 在 tables 1 通过 3.
设备 运作
commands 是 使用 至 initiate 这 记忆 运作
功能 的 这 设备. commands 是 写 至 这 设备
使用 标准 微处理器 写 sequences. 一个 command
是 写 用 asserting
我们
低 当 keeping
CE
低.
这 地址 总线 是 latched 在 这 下落 边缘 的
我们
,
CE
,
whichever occurs last. 这 数据 总线 是 latched 在 这 rising
边缘 的
我们
,
CE
, whichever occurs 第一. 不管怎样, 在
这 软件 写 保护 sequence 这 地址 是
latched 在 这 rising 边缘 的
OE
或者
CE
, whichever occurs
第一.
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