1
) 有效的 提供 那 terminals 是 保持 在 包围的 温度
gültig wenn anschlüsse auf umgebungstemperatur gehalten werden
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01.10.2002
ll 101a ... ll 101c
silizium-肖特基-dioden
表面 挂载 si-肖特基 屏障 二极管 für 消逝 oberflächenmontage
名义上的 电流 15 毫安
Nennstrom
repetitive 顶峰 反转 电压 40…60 v
periodische spitzensperrspannung
glass 情况 minimelf sod 80
glasgehäuse minimelf 做-213aa
重量 approx. – gewicht ca. 0.05 g
维度 / maße 在 mm
标准 包装 带子系紧 和 卷盘 看 页 18
标准 lieferform gegurtet auf rolle siehe seite 18
最大 比率 和 特性 grenz- und kennwerte
类型
典型值
repetitive 顶峰 反转 电压
时期. spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
向前 电压
Durchlaßspannung
V
F
[v] / i
F
= 1 毫安 v
F
[v] / i
F
= 15 毫安
ll 101c 40 < 0.39 < 0.9
ll 101b 50 < 0.4 < 0.95
ll 101a 60 < 0.41 < 1
电源 消耗 – verlustleistung T
一个
= 25
CP
tot
400 mw
1
)
顶峰 向前 surge 电流, 10
s squarewave T
一个
= 25
CI
FSM
2 一个
stoßstrom für einen 10
s rechteckimpuls
泄漏 电流, t
j
= 25
C LL101C V
R
= 30 v I
R
< 200 na
Sperrstrom LL101B V
R
= 40 v I
R
< 200 na
LL101A V
R
= 50 v I
R
< 200 na
接合面 电容 V
R
= 0 v f = 1 mhz C
tot
< 2.2 pf
Sperrschichtkapazität
反转 恢复 时间 I
F
= 5 毫安 通过/über t
rr
典型值 1 ns
Sperrverzug I
R
= 5 一个 至/auf i
R
= 0.5 毫安
接合面 温度 – sperrschichttemperatur T
j
+200
C
存储 温度 – lagerungstemperatur T
S
- 55...+200
C
热的 阻抗 接合面 至 包围的 空气 R
thA
< 300 k/w
1
)
wärmewiderstand sperrschicht – umgebende luft
3.5
±0.1
1.45
0.3
±0.1
0.3
±0.1
类型
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