1
) 有效的 提供 那 terminals 是 保持 在 包围的 温度
gültig wenn anschlüsse auf umgebungstemperatur gehalten werden
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01.10.2002
ll 103a ... ll 103c
silizium-肖特基-dioden
表面 挂载 si-肖特基 屏障 二极管 für 消逝 oberflächenmontage
名义上的 电流 0.2 一个
Nennstrom
repetitive 顶峰 反转 电压 20…40 v
periodische spitzensperrspannung
glass 情况 minimelf sod 80
glasgehäuse minimelf 做-213aa
重量 approx.– gewicht ca. 0.05 g
维度 / maße 在 mm
标准 包装 带子系紧 和 卷盘 看 页 18
标准 lieferform gegurtet auf rolle siehe seite 18
最大 比率 和 特性 grenz- und kennwerte
类型
典型值
repetitive 顶峰 反转 电压
时期. spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
向前 电压
Durchlaßspannung
V
F
[v] / i
F
= 20 毫安 v
F
[v] / i
F
= 200 毫安
ll 103c 20 < 0.37 < 0.6
ll 103b 30 < 0.37 < 0.6
ll 103a 40 < 0.37 < 0.6
电源 消耗 – verlustleistung T
一个
= 25
CP
tot
400 mw
1
)
顶峰 向前 surge 电流, 60 hz half sine-波 T
一个
= 25
CI
FSM
15 一个
stoßstrom für eine 60 hz sinus-halbwelle
泄漏 电流 – sperrstrom T
j
= 25
CV
R
= v
RRM
I
R
< 5
一个
接合面 电容 V
R
= 0 v f = 1 mhz C
tot
典型值 50 pf
Sperrschichtkapazität
反转 恢复 时间 I
F
= 200 毫安 通过/über t
rr
典型值 10 ns
Sperrverzug I
R
= 200 一个 至/auf i
R
= 20 毫安
接合面 温度 – sperrschichttemperatur T
j
+125
C
存储 温度 – lagerungstemperatur T
S
- 55...+175
C
热的 阻抗 接合面 至 包围的 空气 R
thA
< 300 k/w
1
)
wärmewiderstand sperrschicht – umgebende luft
3.5
±0.1
1.45
0.3
±0.1
0.3
±0.1
类型
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