首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:480309
 
资料名称:MGSF1N03LT1
 
文件大小: 74.4K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
 
 


: 点此下载
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
r
ds(在)
小-信号 MOSFETs
TMOS 单独的 n-频道
地方 效应 晶体管
部分的 这 greenline
portfolio 的 设备 和energy–
conserving traits.
这些小型的表面 挂载 场效应晶体管s utilize motorola’s
Cell density, hDTMOrocess. low r
ds(在)
一个ssures
minimal电源 丧失 和 conserves 活力, 制造 这个 设备
完美的为 使用 在 空间 敏感的 电源 管理 电路系统.
典型产品 是 dc–dc 转换器 和 电源manage-
mentin port一个ble 一个nd b一个tterypowered products such 一个s
计算机,printers, pCMCI一个 cards, cellular 一个ndcordless
telephones.
低 r
ds(在)
提供 高等级的 效率 和 extends 电池
生命
小型的 sot–23 表面 挂载 包装 saves 板
空间
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 单位
drain–to–source 电压 V
DSS
30 Vdc
gate–to–source 电压 — 持续的 V
GS
±
20 Vdc
流 电流 — 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
流 电流— 搏动 流 电流 (t
p
10
µ
s)
I
D
I
DM
750
2000
毫安
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C P
D
225 mW
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
55 至 150
°
C
热的 阻抗 — junction–to–ambient R
θ
JA
625
°
c/w
最大 含铅的 temperature 为 焊接 目的, 1/8
从 情况 为 10 秒 T
L
260
°
C
订货 信息
设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
MGSF1N03LT1 7
8mm 压印浮凸 录音带 3000
MGSF1N03LT3 13
8mm 压印浮凸 录音带 10,000
greenline 是 一个 商标 的 motorola, 公司
hdtmos 是 一个 商标 的 motorola, 公司 tmos 是 一个 注册 商标 的 motorola, 公司
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司.
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
rev 1
顺序 这个 文档
用 mgsf1n03lt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
情况 318–08, 样式 21
sot–23 (to–236ab)
MGSF1N03LT1
N–CHANNEL
ENHANCEMENT–MODE
tmos 场效应晶体管
motorola preferred 设备
1
2
3
3 流
1
2 源
motorola, 公司 1996
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com