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资料编号:482012
 
资料名称:MJ13335
 
文件大小: 71.67K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON TRANSISTORS
 
 


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1
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MJ1333
5
NPNSILICONTR一个NSISTOR
S
高 电压 硅 高 电源 晶体管
solenoid 和 接转 驱动器
TO-3
绝对 最大 比率 (t
一个
=25
℃℃
)
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
集电级 消耗 (tc=25
)
接合面 温度
存储 温度
V
CBO
V
CEO
I
C
P
C
T
j
Tstg
8
00
5
00
20
175
200
-50~150
V
V
一个
W
℃℃
℃℃
电的 特性 (ta=25
℃℃
)
))
)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截止 电流
集电级 截止 电流
直流 电流 增益
Collector-EmitterS一个tur一个德州仪器onVolt一个ge
I
CBO
I
CEO
h
FE
V
ce(sat)
V
CB
=
8
00V,I
E
=0
V
CB
= 500v , i
B
=0
V
CE
= 5v,I
C
=
5.
0A
ic=10a , ib=2a
1
0
25
0
25
0
1.
8
µ
一个
µ
一个
V
wing shing 计算机 组件 co., (h.k.)有限公司. 电话:(852)2341 9276 传真:(852)27978153
Homep一个ge:http://www.wgshg.comE-m一个il:ws@
wingshing
.com
60
根基-发射级 饱和 电压
vbe(sat)
ic=10a, ib=2a
1.8
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