描述:
这 central 半导体 mmpq2907a,
consisting 的 四 晶体管 和 有 在 这
soic-16 表面 挂载 包装, 是 设计 为
一般 目的 放大器 和 切换 产品.
最大 raTINGS
(t
一个
=25°c)
标识 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
60 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
60 V
发射级-根基 电压 V
EBO
5.0 V
持续的 集电级 电流 I
C
600 毫安
电源 消耗 P
D
1000 mW
运行 和 存储
接合面 温度 T
J
,t
stg
-55 至 +150 °C
热的 阻抗 (总的 包装)
Θ
JA
125 °c/w
热的 阻抗 (各自 晶体管)
Θ
JA
240 °c/w
电的 特性
(t
一个
=25°c 除非 否则 指出)
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CEV
V
CE
=30v, v
是
=0.5v 50 nA
I
CBO
V
CB
=50V 20 nA
I
CBO
V
CB
=50v, t
一个
=125°C 20 µA
BV
CBO
I
C
=10µA 60 V
BV
CEO
I
C
=10mA 60 V
BV
EBO
I
E
=10µA 5.0 V
V
ce(sat)
I
C
=150ma, i
B
=15mA 0.4 V
V
ce(sat)
I
C
=500ma, i
B
=50mA 1.6 V
V
是(sat)
I
C
=150ma, i
B
=15mA 1.3 V
V
是(sat)
I
C
=500ma, i
B
=50mA 2.6 V
h
FE
V
CE
=10v, i
C
=0.1ma 75
h
FE
V
CE
=10v, i
C
=1.0ma 100
h
FE
V
CE
=10v, i
C
=10mA 100
h
FE
V
CE
=10v, i
C
=150mA 100 300
h
FE
V
CE
=10v, i
C
=500mA 50
f
T
V
CE
=20v, i
C
=50ma, f=100mhz 250 MHz
C
ib
V
EB
=2.0v, f=100khz 12 pF
C
ob
V
CB
=10v, f=100khz 6.0 pF
t
在
V
CC
=30v, i
C
=150ma, i
B1
=15mA 30 ns
t
d
V
CC
=30v, i
C
=150ma, i
B1
=15mA 8.0 ns
t
r
V
CC
=30v, i
C
=150ma, i
B1
=15mA 20 ns
t
止
V
CC
=6.0v, i
C
=150ma, i
B1
= i
B2
=15mA 80 ns
t
s
V
CC
=6.0v, i
C
=150ma, i
B1
= i
B2
=15mA 60 ns
t
f
V
CC
=6.0v, i
C
=150ma, i
B1
= i
B2
=15mA 20 ns
MMPQ2907A
表面 挂载
PNP 硅
四方形 晶体管
soic-16 情况
Central
半导体 corp.
TM
r0 ( 7-十一月 2001)
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