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描述:
这 central 半导体 mmpq3906,
consisting 的 四 晶体管 和 有 在 这
soic-16 表面 挂载 包装, 是 设计 为
一般 目的 放大器 和 切换 产品.
最大 raTINGS
: (t
一个
=25°c)
标识
单位
集电级-根基 电压 V
CBO
40 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
40 V
发射级-根基 电压 V
EBO
5.0 V
持续的 集电级 电流 I
C
200 毫安
电源 消耗 P
D
1000 mW
运行 和 存储
接合面 温度 T
J
,t
stg
-55 至 +150 °C
热的 阻抗 (总的 包装)
Θ
JA
125 °c/w
热的 阻抗 (各自 晶体管)
Θ
JA
240 °c/w
电的
特性:
(t
一个
=25°c 除非 否则 指出)
标识
测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CEV
V
CE
=30v, v
EB
=3.0v 50 nA
BV
CBO
I
C
=10µA 40 V
BV
CEO
I
C
=1.0ma 40 V
BV
EBO
I
E
=10µA 5.0 V
V
ce(sat)
I
C
=10ma, i
B
=1.0ma 0.25 V
V
ce(sat)
I
C
=50ma, i
B
=5.0ma 0.40 V
V
是(sat)
I
C
=10ma, i
B
=1.0ma 0.65 0.85 V
V
是(sat)
I
C
=50ma, i
B
=5.0ma 0.95 V
h
FE
V
CE
=1.0v, i
C
=0.1ma 60
h
FE
V
CE
=1.0v, i
C
=1.0ma 80
h
FE
V
CE
=1.0v, i
C
=10mA 100 300
h
FE
V
CE
=1.0v, i
C
=50mA 60
h
FE
V
CE
=1.0v, i
C
=100mA 30
f
T
V
CE
=20v, i
C
=10ma, f=100mhz 450 MHz
C
ib
V
EB
=0.5v, f=100khz 8.0 pF
C
ob
V
CB
=5.0v, f=100khz 3.0 pF
NF V
CE
=5.0v, i
C
=100µa, r
S
=1.0k
Ω
, f=10hz 至 15.7khz 2.5 dB
t
d
V
CC
=3.0v, v
是
=0.5v, i
C
=10ma, i
B1
=1.0ma 15 ns
t
r
V
CC
=3.0v, v
是
=0.5v, i
C
=10ma, i
B1
=1.0ma 20 ns
t
s
V
CC
=3.0v, i
C
=10ma, i
B1
= i
B2
=1.0ma 110 ns
t
f
V
CC
=3.0v, i
C
=10ma, i
B1
= i
B2
=1.0ma 40 ns
MMPQ3906
表面 挂载
PNP 硅
四方形 晶体管
soic-16 情况
Central
半导体 corp.
TM
r0  ( 7-十一月 2001)

标　题:
内　容:
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描述: 这 central 半导体 mmpq3906, consisting 的四晶体管和有在这 soic-16 表面挂载包装, 是设计为一般目的放大器和切换产品. 最大 raTINGS : (t 一个 =25°c) 标识单位集电级-根基电压 V CBO 40 V 集电级-发射级电压 V CEO 40 V 发射级-根基电压 V EBO 5.0 V 持续的集电级电流 I C 200 毫安电源消耗 P D 1000 mW 运行和存储接合面温度 T J ,t stg -55 至 +150 °C 热的阻抗 (总的包装) Θ JA 125 °c/w 热的阻抗 (各自晶体管) Θ JA 240 °c/w 电的特性: (t 一个 =25°c 除非否则指出) 标识测试情况最小值典型值最大值单位 I CEV V CE =30v, v EB =3.0v 50 nA BV CBO I C =10µA 40 V BV CEO I C =1.0ma 40 V BV EBO I E =10µA 5.0 V V ce(sat) I C =10ma, i B =1.0ma 0.25 V V ce(sat) I C =50ma, i B =5.0ma 0.40 V V 是(sat) I C =10ma, i B =1.0ma 0.65 0.85 V V 是(sat) I C =50ma, i B =5.0ma 0.95 V h FE V CE =1.0v, i C =0.1ma 60 h FE V CE =1.0v, i C =1.0ma 80 h FE V CE =1.0v, i C =10mA 100 300 h FE V CE =1.0v, i C =50mA 60 h FE V CE =1.0v, i C =100mA 30 f T V CE =20v, i C =10ma, f=100mhz 450 MHz C ib V EB =0.5v, f=100khz 8.0 pF C ob V CB =5.0v, f=100khz 3.0 pF NF V CE =5.0v, i C =100µa, r S =1.0k Ω , f=10hz 至 15.7khz 2.5 dB t d V CC =3.0v, v 是 =0.5v, i C =10ma, i B1 =1.0ma 15 ns t r V CC =3.0v, v 是 =0.5v, i C =10ma, i B1 =1.0ma 20 ns t s V CC =3.0v, i C =10ma, i B1 = i B2 =1.0ma 110 ns t f V CC =3.0v, i C =10ma, i B1 = i B2 =1.0ma 40 ns MMPQ3906 表面挂载 PNP 硅四方形晶体管 soic-16 情况 Central 半导体 corp. TM r0 ( 7-十一月 2001)

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